Cartouche P/11 Cartouche P/11HD Cartouche P/10HD
Upniveau de protection (Norme NF EN 61643-21) 0,25kV 0,25kV 0,2kV
In(courant nominal de décharge 8/20, nombre de choc illimité) 140A 180A 500A
Ifus (pouvoir d’écoulement en fin de vie onde 8/20) 5kA 5 A 5kA
Un(tension nominale) 130Vac 130Vac 90Vac
Uc(tension maximale de régime permanent) 160Vdc 160Vdc 130Vdc
Tension d’amorçage 170V ± 10V 170V ± 10V 155V± 10V
Application L. analogiques RTC L. ADSL Accès Numéris T0
If(Courant de fuite) 5µA
Ta(temps d’amorçage) < 200ps
Seuil de fusion (onde 10/1000) 3kW 4,5kW 3kW
Inductance propre 10nH 10nH 12nH
Capacité propre 350pF 60pF 100pF
Résistance en fin de vie (Fusion fonctionnelle) < 1m
Normes d’essais / Catégorie NF EN 61643-21 / C1-C3 ; C2-D1*
Température d’utilisation -20°C / +80°C
Dimensions Ø 11x38mm Ø 11x38mm Ø 10x50mm
* avec élément série MTCPAD1 code 12402. Voir page 41
Données techniques
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Aide au descriptif / spécifications
Téléphonie analogique : Parafoudre à technologie diodes d’écrêtage, tension de protection Up0,25kV, tension Uc(AC/DC) 130/160V, courant de
fuite 5µA, capacité parasite 350pF, réactivité : picoseconde,
ADSL : Parafoudre à technologie diodes d’écrêtage, tension de protection Up0,25kV, tension Uc(AC/DC) 130/160V, courant de fuite 5µA, capacité
parasite 60pF, réactivité : picoseconde
NUMERIS : Parafoudre à technologie diodes d’écrêtage, tension de protection Up0,2kV, tension Uc(AC/DC) 90/130V, courant de fuite 5µA, capacité
parasite 100pF, réactivité : picoseconde
Classe C
PARAFOUDRES A DIODES Courants faibles
Continuité de protection Continuité de protection avec élément série
LIGNES TÉLÉPHONIQUES