grâce à l’expérience suivante : une source émet des électrons un par un, ceux-ci ont le choix
de passer entre deux fentes possibles. La figure d’interférence obtenue montre que, bien que
les électrons soient émis un par un, ils se comportent de manière ondulatoire.
18. Les électrons des couches externes de l’atome (donc les moins fortement liés au
noyau) vont pouvoir se délocaliser d’un atome à l’autre par effet tunnel. Ces « sauts », sont à
l’origine de la cohésion d’un solide et permettent également la conduction d’un courant
électronique à travers tout le solide.
19. Une autre conséquence de cet effet tunnel est que l’énergie d’un solide n’est pas une
simple répétition n fois des niveaux d’énergie de chaque atome isolé. En réalité, il apparaît
une série d’énergies admissibles qui se répartissent dans une certaine gamme d’énergie, cette
gamme est appelée bande d’énergie permise. D’autres gammes restent interdites. Ainsi, si les
atomes restent éloignés les uns des autres, les bandes d’énergies admises sont très étroites,
mais à mesure que la distance inter-atomique diminue, ces bandes s’élargissent et le solide
peut alors admettre une plus large gamme de niveaux d’énergie.
20. Nous pouvons penser, comme dans la classification périodique, que les électrons
remplissent ces bandes d’énergies, toujours en respectant le principe d’exclusion de Pauli.
L’énergie du dernier niveau rempli est appelée énergie du niveau de Fermi. La manière dont
se place ce dernier niveau rempli va déterminer la nature du matériau (métal ou isolant). Si le
niveau de Fermi se place dans une bande d’énergie admise, il sera très facile d’exciter les
électrons, le matériau sera donc un métal. Si au contraire le niveau de Fermi se place dans une
bande d’énergie interdite, il n’est pas possible d’exciter les électrons en appliquant une petite
différence de potentiel, nous avons donc affaire à un isolant. Enfin, un semi-conducteur est un
isolant dont la bande d’énergie interdite (« gap », en anglais), est suffisamment petite pour
que l’on puisse exciter un nombre significatif de porteurs de charge simplement avec la
température ambiante.
Nous voyons donc que l’explication de propriétés aussi courantes des matériaux repose sur les
principes généraux de la mécanique quantique.
21. Ainsi, dans un solide constitué d’atomes dont la couche électronique externe est
complète, les électrons ne peuvent sauter d’un atome à l’autre sans violer le principe
d’exclusion de Pauli. Ce solide sera alors un isolant.
22-23. En réalité, les semi-conducteurs intrinsèques (les matériaux qui sont des semi-
conducteurs à l’état brut) ne sont pas les plus utiles. On cherche en fait à contrôler le nombre
de porteurs de charge que l’on va induire dans le matériau. Pour cela, il faut créer des états
d’énergies très proches des bandes permises (bande de conduction ou bande de Valence). On
introduit à ces fins des impuretés dans le semi-conducteur (du bore dans du silicium, par
exemple) pour fournir ces porteurs de charges. Si on fournit des électrons qui sont des
porteurs de charges négatifs, on parlera de dopage N. Si les porteurs de charges sont des trous
créés dans la bande de Valence, on parlera de dopage P.
24. L’assemblage de deux semi-conducteurs P et N est la brique de base de toute
l’électronique moderne, celle qui permet de construire des transistors (aux innombrables
applications : amplificateurs, interrupteurs, portes logiques, etc.). Le bond technologique dû à
l’invention du transistor dans les années 1950 repose donc sur tout l’édifice théorique et
expérimental de la mécanique quantique. L’invention du transistor a valu le prix Nobel en
1956 à Brattain, Shockley et Bardeen. Le premier transistor mesurait quelques centimètres,