CHAPITRE 4 - Diodes
4.1 - Circuits écrêteurs 49
Caractéristiques statiques et action sur un signal alternatif.
4.2 - Conformateur à diodes 52
Cellule à commutation en courant. Application à un conformateur sinusoïdal.
4.3 - Modulateurs à diodes 57
Modulateurs en pont et en anneau, mixers. Formes d'onde et spectres.
4.4 - Alignement d'une tension triangulaire 61
Circuit C-R-D, en régime permanent, analysé par ses équations différentielles.
4.5 - Doubleur de tension 67
Doubleur de tension en régime transitoire. Redressement avec multiplication de tension
CHAPITRE 5 - Transistors à effet de champ
5.1 - Polarisation d'un J-FET 71
Calcul du point de repos dans le plan ID-VDS, dans l'hypothèse quadratique.
5.2 - Gain d'un étage à transistor MOS 74
Gain maximum réalisable avec une charge donnée, dans l'hypothèse quadratique.
5.3 - Le TEC en amplification 76
Analyse DC et analyse AC. Découplage de la résistance de source, réponse en fréquence.
Impédance d'entrée / sortie.
5.4 - Symétriseur de phase 82
Analyse des gains et impédances de sortie.
5.5 - Le TEC en résistance variable 86
Contrôle électronique du gain, modulation d'amplitude.
CHAPITRE 6 - Transistors bipolaires
6.1 - Polarisation du transistor 89
Obtention d'un VCE indépendant de la tension d'alimentation.
6.2 - Le transistor en amplification 93
Analyse DC et AC. Découplage de la résistance d'émetteur.
6.3 - Gain en puissance utilisable 97
Comparaison entre une sortie sur le collecteur et une sottie sur l'émetteur.
6.4 - Effet "bootstrap"
Amélioration de l'impédance d'entrée.
6.5 - Le transistor en haute fréquence 104
Effets des capacités parasites CB,E et CB,C. Effet Miller.
CHAPITRE 7 - Amplificateurs opérationnels
7.1 - Influence du gain en boucle ouverte 109
Amplificateurs inverseur ou non inverseur, produit gain x bande passante.
Bascules de Schmitt inverseuse ou non inverseuse.
7.2 - Equilibrage des entrées 114
Erreur due aux courants d'entrée. Sommateurs équilibrés.
7.3 - Simulation de composants 118
Réalisation active d'une self, d'un condensateur, d'une résistance négative.
7.4 - Cellule biquadratique 121
Cellule biquadratique utilisant un seul amplificateur opérationnel.
Application à la réalisation d'un filtre coupe-bande.
7.5 - Intégrateurs 124
Intégrateurs inverseur ou non-inverseur. Application à la réalisation d'une cellule de filtre
à variables d'état.
CHAPITRE 8 - Portes logiques
8.1 - Technologie des portes logiques 131
Circuits internes des portes TTL, C-MOS, ECL
8.2 - Fonctions analogiques des portes logiques C-MOS 137
Amplificateurs, bascules de Schmitt et multivibrateurs.
8.3 - Générateurs d'impulsions 140
Détection de fronts. Monostables.
8.4 - Comparateurs de phase-PLL 145
Comparateurs de phase à porte XOR ou à bascule R-S. Application à la boucle à verrouillage
de phase.
8.5 - Circuits d'horloge 150
Multivibrateurs utilisant un seul circuit R-C.
CHAPITRE 9 - Amplification
9.1 - Paire différentielle à TEC 153
Gains de mode différentiel et de mode commun. Polarisation par source de courant.
9.2 - Montage push-pull 157
Caractéristique statique d'entrée / sortie, puissances dissipées dans la charge et dans les
transistors, rendement.
9.3 - Amplificateur à deux étages 161
Etude de la bande passante. Intérêt de la répartition du gain sur plusieurs étages.
9.4 - Amplificateur d'instrumentation 164
Domaine d'amplification différentielle linéaire. Convertisseurs différentiels
courant / tension et tension / courant.
9.5 - Amplificateur bidirectionnel 168
Etude d'un montage comportant deux amplificateurs opérationnels.
Matrice d'onde.