Supérieure - 2017-04-16 - 191320 Pg. 4 / 16
(A-004-001-009)
(A-002-007-010)
(A-005-003-008)
(A-002-004-006)
9.
10.
11.
12.
A.
A.
A.
A.
B.
B.
B.
B.
C.
C.
C.
C.
D.
D.
D.
D.
Quelles sont les deux principales valeurs nominales à ne pas excéder lorsqu'on emploie des redresseurs à diodes
au silicium dans les blocs d'alimentation?
Dans un circuit d'amplification, le transistor à effet de champ ("FET") à drain commun est similaire à quel circuit
d'amplification à transistor bipolaire?
Les oscillations parasites sont généralement provoquées par :
Comment nomme-t-on les trois bornes d'un transistor à effet de champ à jonction ("JFET")?
La puissance moyenne; le voltage moyen
Base commune
la présence d'harmoniques produits dans les étages de multiplication précédents
La porte 1, la porte 2 et le drain
L'impédance crête de la charge; le voltage crête
Émetteur commun
un signal d'attaque ou d'excitation trop important appliqué à l'entrée de l'amplificateur de puissance
L'émetteur, la base et le collecteur
La réactance capacitive; le voltage d'avalanche
Collecteur commun
des résonances accidentelles dans l'amplificateur de puissance
L'émetteur, la base 1 et la base 2
La tension inverse de crête; le courant moyen en polarisation directe
Mode commun
un défaut d'adaptation entre l'amplificateur de puissance et la ligne de transmission
La porte, le drain et la source