
Un CCD transforme les photons lumineux qu'il reçoit en paires électron-trou par effet
photoélectrique dans le substrat semi-conducteur, puis collecte les électrons dans le puits de
potentiel maintenu au niveau de chaque photosite. Le nombre d'électrons collectés est
proportionnel à la quantité de lumière reçue.
À la fin de l'exposition, les charges sont transférées de photosite en photosite par le jeu de
variations de potentiel cycliques appliquées aux grilles (bandes conductrices horizontales, isolées
entre elles par une couche de SiO2) jusqu'au registre horizontal (voir animation ci-contre).
Elles sont transformées en tension, proportionnelle au nombre d'électrons, dans
la capacité d'une diode « flottante »[pas clair]. Ce signal sera, à l'extérieur du CCD, filtré par uncircuit à
« double échantillonnage corrélé »[à définir] avant d'être amplifié et numérisé.
Ces électrodes sont isolées par une couche de SiO2, complétée par l'action d'une fine zone dopée
« n », le « canal enterré » (buried channel), du substrat de type « p ».
Capteur CMOS
PD = photodiode
Un capteur CMOS (« complementary metal-oxide-semiconductor ») est composé de photodiodes, à
l'instar d'un CCD, où chaque photosite possède son propre convertisseur charge/tension et
amplificateur (dans le cas d'un capteur APS).
Leur consommation électrique, beaucoup plus faible que celle des capteurs CCD, leur vitesse de
lecture et le plus faible coût de production sont les principales raisons de leur grande utilisation.
De la même façon que beaucoup de CCD, les capteurs CMOS pour image couleur sont associés à un
filtre coloré et un réseau de lentilles, encore plus nécessaire vu la faible surface relative de
la photodiode, seule zone sensible.