Travaux Dirigés Électronique Appliquée - Master 1

République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Université Frères Mentouri – Constantine 1
Département d’Electronique
Travaux Dirigés
Réalisé et présenté par :
Dr. Salah ABADLI
Faculté des Sciences de la Technologie
Electronique Appliquée
Année Universitaire : 2019 / 2020 (Semestre 2)
MASTER 1, Automatique et informatique industrielle

Année Universitaire : 2019/2020 TD, Electronique Appliquée. Présenté par Dr. S. ABADLI
Master 1 Automatique et informatique industrielle ; Semestre 2
1
Exercice 1
Le condensateur étant chargé à 5 V, on ferme ensuite K.
Au bout de combien de temps la tension UC= 2 V.
Quelle est la valeur de ICen ce moment.
Exercice 2
Soit le montage suivant ci-dessous (à t = 0, UC = 5 V) :
Calculer les valeurs de Uc aux instants : t1, t2, t3, t4, t5. Compléter le chronogramme de Uc.
Exercice 3
On désire effectuer la remise à 0 d’un circuit, lors de la mise sous tension.
Pour cela, on utilise le montage ci-dessous.
Le circuit intégré est en technologie CMOS.
Le courant entrant dans l’entrée RESET est nul.
L’entrée RESET est active au niveau logique bas.
On donne : Niveau logique "1" pour Vin > 70% Vdd
Niveau logique "0" pour Vin < 70 % Vdd.
A â partir de la mise sous tension, au bout de combien de temps est-on certain que l’entrée
RESET n’est plus active.
Exercice 4
Un transistor NPN est alimenté sous une tension 9 V.
On donne : RV= 50 , VCE_sat = 0,2 V, VBE = 0,7 V
200 < < 300 et la tension de commande VOH = 5 V.
On prend un coefficient de sécurité de 2, pour
être sur que le transistor sera bien saturé.
Calculer la valeur de la résistance Rb ?
Université Frères Mentouri - CONSTANTINE 1
Faculté ST Département d’Electronique
TD : le condensateur et le transistor en commutation
1
R
K
56 k
C
470 nF
UC
R
E
47 k
C
100 nF
UC
Circuit intégré
CMOS
Vdd
R
10 k
C
100 nF
RESET
Attention : la tension VCE_sat est proche de 0 mais pas nulle
(VCE_sat 0,2 V).
Année Universitaire : 2019/2020 TD, Electronique Appliquée. Présenté par Dr. S. ABADLI
Master 1 Automatique et informatique industrielle ; Semestre 2
1
Exercice 1
Le condensateur étant chargé à 5 V, on ferme ensuite K.
Au bout de combien de temps la tension UC= 2 V.
Quelle est la valeur de ICen ce moment.
Exercice 2
Soit le montage suivant ci-dessous (à t = 0, UC = 5 V) :
Calculer les valeurs de Uc aux instants : t1, t2, t3, t4, t5. Compléter le chronogramme de Uc.
Exercice 3
On désire effectuer la remise à 0 d’un circuit, lors de la mise sous tension.
Pour cela, on utilise le montage ci-dessous.
Le circuit intégré est en technologie CMOS.
Le courant entrant dans l’entrée RESET est nul.
L’entrée RESET est active au niveau logique bas.
On donne : Niveau logique "1" pour Vin > 70% Vdd
Niveau logique "0" pour Vin < 70 % Vdd.
A â partir de la mise sous tension, au bout de combien de temps est-on certain que l’entrée
RESET n’est plus active.
Exercice 4
Un transistor NPN est alimenté sous une tension 9 V.
On donne : RV= 50 , VCE_sat = 0,2 V, VBE = 0,7 V
200 < < 300 et la tension de commande VOH = 5 V.
On prend un coefficient de sécurité de 2, pour
être sur que le transistor sera bien saturé.
Calculer la valeur de la résistance Rb ?
Université Frères Mentouri - CONSTANTINE 1
Faculté ST Département d’Electronique
TD : le condensateur et le transistor en commutation
1
R
K
56 k
C
470 nF
UC
R
E
47 k
C
100 nF
UC
Circuit intégré
CMOS
Vdd
R
10 k
C
100 nF
RESET
Attention : la tension VCE_sat est proche de 0 mais pas nulle
(VCE_sat 0,2 V).
Année Universitaire : 2019/2020 TD, Electronique Appliquée. Présenté par Dr. S. ABADLI
Master 1 Automatique et informatique industrielle ; Semestre 2
1
Exercice 1
Le condensateur étant chargé à 5 V, on ferme ensuite K.
Au bout de combien de temps la tension UC= 2 V.
Quelle est la valeur de ICen ce moment.
Exercice 2
Soit le montage suivant ci-dessous (à t = 0, UC = 5 V) :
Calculer les valeurs de Uc aux instants : t1, t2, t3, t4, t5. Compléter le chronogramme de Uc.
Exercice 3
On désire effectuer la remise à 0 d’un circuit, lors de la mise sous tension.
Pour cela, on utilise le montage ci-dessous.
Le circuit intégré est en technologie CMOS.
Le courant entrant dans l’entrée RESET est nul.
L’entrée RESET est active au niveau logique bas.
On donne : Niveau logique "1" pour Vin > 70% Vdd
Niveau logique "0" pour Vin < 70 % Vdd.
A â partir de la mise sous tension, au bout de combien de temps est-on certain que l’entrée
RESET n’est plus active.
Exercice 4
Un transistor NPN est alimenté sous une tension 9 V.
On donne : RV= 50 , VCE_sat = 0,2 V, VBE = 0,7 V
200 < < 300 et la tension de commande VOH = 5 V.
On prend un coefficient de sécurité de 2, pour
être sur que le transistor sera bien saturé.
Calculer la valeur de la résistance Rb ?
Université Frères Mentouri - CONSTANTINE 1
Faculté ST Département d’Electronique
TD : le condensateur et le transistor en commutation
1
R
K
56 k
C
470 nF
UC
R
E
47 k
C
100 nF
UC
Circuit intégré
CMOS
Vdd
R
10 k
C
100 nF
RESET
Attention : la tension VCE_sat est proche de 0 mais pas nulle
(VCE_sat 0,2 V).

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2
Exercice 5
Soit le montage de la figure suivante :
On donne : Ve = 0 ou 10 V, Irel = 55 mA, Vrelais = VCC = 24 V
VCE_sat = 0,4 V , VBE = 0,7 V , = 200 , sursaturation avec k = 2
Calculer les éléments du montage (Rb, Rrelais,IB,IB_sat).
Exercice 6
Exercice 7
De façon à commander en tout ou rien une charge résistive de 10 sous 300 V,
on veut mettre en œuvre le transistor MOS ci-contre.
Lorsque le transistor MOS fonctionne en zone ohmique (VDS = RDS xID),
il se comporte comme une résistance RDS 0,1 .
Calculer dans ce cas, les valeurs de IDet de VDS.
S
D
G
R = 10 
300 V
VGS
VDS
ID
Les caractéristiques du transistor bipolaire utilisé sont :
VBE_sat = 0,7 V ; VCE_sat = 0,2 V ; 70 < < 300
On suppose IC0 lorsque le transistor est bloqué. La LED présente
une tension VFde l’ordre de 1,8 V.
La tension de commande « e » est une tension carrée 0V / 5V.
En déduire la valeur que doit présenter RCpour que le courant dans
la LED soit de l’ordre de 10 mA lorsque le transistor est saturé.
Déterminer la valeur limite de RBqui permet de saturer le transistor,
de manière certaine, avec un coefficient de sursaturation supérieur
ou égal à 2.
e
5 V
RB
IC
RC
IB
Circuit TTL

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Master 1 Automatique et informatique industrielle ; Semestre 2
3
Exercice 1 : Corrigé
Dans ce cas :
RC U U0 
et donc :
dt
dU
RC U0 C
C
La solution de cette équation est :
RC
t
RC
t
Ce5eEU  
On cherche alors :
RC
t
e52 
Exercice 2 : Corrigé
Dans le cas général,
RC
t
CeBAU 
à t0= 0 : on a la tension UC(t0) = E = 5 V et donc
RC
t
Ce5U 
( équation de la décharge)
de t0à t1= 2 ms : on a la tension
V3,267e5e5U 93
3
10.100.47.10
-2.10
RC
t1
C(t1) 
de t1à t2= 4 ms : on a la tension (UC(0) = 3,267 V et UC() = 10) (charge)
de t2à t3= 6 ms : on a la tension (UC(0) = 5,60 V et UC() = 0) (décharge)
R
C
i
UR
UC

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4
de t3à t4= 8 ms : on a la tension (UC(0) = 3,659 V et UC() = 10) ( une charge)
de t4à t5= 10 ms : on a la tension (UC(0) = 5,856 V et UC() = 0) ( une charge)