TD 1

Electronique 2 et schémas électroniques Maintenance biomédicale
M.EL IDRISSI 2022/2023
1/3
Exercice1
L’étude porte sur diverses typologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant de
collecteur donné et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
caractéristiques de sortie (c.à.d. VCE0 = Vcc/2). Le transistor est de type 2N1711 (βtypique = 150)
Déterminez les résistances au sein des typologies suivantes, pour un courant IC0= 10 mA et en
prenant VBE0= 0.6 V .
1. Polarisation simple (figure 1).
2. Polarisation par résistance entre collecteur et base (figure 2).
3. Polarisation avec résistance d’émetteur (figure 3).
4. Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base (figure 4).
TDN°1:
Les Transistors bipolaires en régime statique

Electronique 2 et schémas électroniques Maintenance biomédicale
M.EL IDRISSI 2022/2023
2/3
Exercice2
On donne : VCC=15V,VBE=0.7V,RC=1KΩ, RE=100Ω et RB=200KΩ.
1. Calculer le courant collecteur pour chaque circuit de la figure 4 ci-dessous pour un gain β=100 puis
pour un gain β=300.
2. Quel montage est le moins sensible aux variations de β?
Figure 5
Exercice3
Etant donné le circuit du schéma de la figure 6 :
1. Montrer que ce circuit, où le transistor est polarisé avec une seule source, est équivalent au circuit utilisant
une polarisation avec deux sources.
2. Donner l’équation de la droite d’attaque statique et de charge statique et en déduire le point de blocage et de
saturation.
3. Sachant qu’au point de fonctionnement le courant de base et la tension collecteur-émetteur sont IB = 100 μA
et VCE = 6 V, déterminer la valeur des autres paramètres (d’entrée et de sortie « VBE et IC ») puis Calculer β.
4. La jonction base-collecteur est-elle polarisée en inverse ? Si oui justifier.
On donne VCC= 12 V ; RB1= 16 KΩ ; RB2= 1 KΩ et RC= 240 Ω
Figure 6

Electronique 2 et schémas électroniques Maintenance biomédicale
M.EL IDRISSI 2022/2023
3/3
Exercice 4
Le transistor dans le montage ci-dessous travaille en régime de commutation.
- Déterminer le courant de saturation ICsat.
- Quelle est la valeur de IBS nécessaire pour produire la saturation.
- Quelle est la valeur minimale de Ve nécessaire pour produire la saturation.
On donne : β150,Vcc5V,RB1MΩ, RC10kΩ et VBE00.7V.
Figure 7
Exercice 5
Le transistor dans le montage ci-dessous travaille en régime de commutation. Complétez le tableau
et déduire la fonction du montage.
Ve1
Ve2
D1
D2
T
Vs
0V
0V
0V
5V
5V
0V
5V
5V
Figure 8