ﺔﯿﺒﻌﺸﻟا ﺔﯿﻃاﺮﻘﻤﯾﺪﻟا ﺔﯾﺮﺋاﺰﺠﻟا ﺔﯾرﻮﮭﻤﺠﻟا
République Algérienne Démocratique et Populaire
ﻲﻤﻠﻌﻟا ﺚﺤﺒﻟاو ﻲﻟﺎﻌﻟا ﻢﯿﻠﻌﺘﻟا ةرازو
Ministère de l’enseignement Supérieur et de la recherche scientifique
Université Mohamed Khider Biskra
Faculté des sciences et de la Technologie
Département de Génie Electrique
Filière : Electronique
Option : Microélectronique et hyperfréquence
Proposé par : Dr .Tobbeche Souad
Dirigé par : Dr. Tobbeche Souad
Résumé
Nous avons étudié par simulation numérique à l’aide du simulateur Atlas-Silvaco une
cellule solaire à base de GaAs de structure p-n-n+avec une couche fenêtre Al0.7Ga0.3As de
type p+. D’après la comparaison faite entre deux cellules, l’une sans couche fenêtre et
l’autre avec une couche fenêtre en Al0.7Ga0.3As, nous avons trouvé que cette couche
améliore le rendement de conversion, il est passé de 6,47 % dans une cellule sans couche
fenêtre à 13.46% pour une cellule avec une couche fenêtre en Al0.7Ga0.3As. Les autres
paramètres photovoltaique simulés sont : la tension en circuit ouvert (Vco) de 0.94 V, la
densité du courant de court-circuit (Jcc) de 22.30 mA/cm² et le facteur de forme (FF) de
86.81%. L’étude de l’influence des différentes couches de la cellule solaire engendre une
meilleure structure ayant une couche fenêtre mince d’épaisseur 0.1 nm et un dopage égal à
1017cm-3.calculé est de 16.49% et les autres paramètres photovoltaique simulés : Vco est
de 0.98 V, Jcc est de 25.90 mA/cm² et FF est de 86.98%.
ﺺﺨﻠﻣ
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