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Institut Supérieur d’Informatique Année universitaire 2020-2021
Examen
Session principale - Semestre 1
Systèmes logiques et architecture des ordinateurs
Enseignantes : Mme Sameh Touj et Mme Médiha Ajabi Ghedamsi
Classe : 1ère année L1CS
Date : 12 janvier 2021
Durée : 1 Heure 30
Nombre de pages : 05 + 2 pages annexes techniques
Documents et calculatrice non autorisés
Codage (réservé à l’administration)
- - - - - - - - -
-----------------------------------------------------------------------------
Nom & prénom : ……………………………………………………………
Groupe : ………………………………….……
CIN : ………………………………………………
N° inscription : ……………………………
Codage (réservé à l’administration)
- - - - - - - - -
1

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2
Exercice 1(6 points)
Soit l’équation suivante :
 = 
 +   +  +  +   +   +  + 
NB : Les questions 2 et 3 sont indépendantes
1. Simplifiez l’équation en utilisant le tableau de Karnaugh.
WX
UV
……………………………………………………………………………………………………………………………………
2. Donnez le logigramme de  à l’aide d’une porte AND et une porte XOR.
……………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………

3
3. Donnez le schéma qui réalise cette fonction à l’aide du multiplexeur 4 vers 1.
Exercice 2 (8 points)
D’après le document technique de la mémoire MCM6226A (annexe 1), précisez les données
suivantes :
1- Les caractéristiques de la mémoire à savoir :
 Type de la mémoire …………………………………………………………………………………………….
 Capacité…………………………………………………………………………………………………………….
 Niveau de tension d’alimentation………………………………………………………………………..
 Organisation…………………………………………………………………………………………………………
 Constructeur…………………………………………………………….…………………………………………
2- Décrire brièvement les différents entrées et sorties de cette mémoire.
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………

4
3- Expliquez les différents modes de fonctionnement.
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
4- Précisez l’état des entrées qui permettent de configurer le mode écriture.
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
…………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………
5- Donnez, dans ce cas, les niveaux respectifs à envoyer sur les entrées pour valider l’écriture
de l’octet $4E à l’adresse $1E2B4.
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
………….…...………………………………………………………………………………………………...……………………………………………
6- Selon le type de cette mémoire, complétez le tableau suivant par oui ou non.
Nécessite un rafraîchissement
Ne se programme qu’une seule fois
Peut s’effacer avec une lampe ultra-violet
S’efface électriquement avec une tension différente de celle de l’alimentation.
Perd son contenu lorsqu’il n’est plus alimenté
Garde son contenu même lorsqu’il n’est plus alimenté
Exercice 3 (6 points)
On veut fabriquer un plan mémoire à partir de mémoires contenant 2 kmots de 8 bits
par boîtier.
1. Précisez la taille du bus de données et du bus d’adresse de cette mémoire.
……………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………