Institut Supérieur d’Informatique Année universitaire 2020-2021 Examen Session principale - Semestre 1 Systèmes logiques et architecture des ordinateurs Enseignantes : Mme Sameh Touj et Mme Médiha Ajabi Ghedamsi Classe : 1ère année L1CS Date : 12 janvier 2021 Durée : 1 Heure 30 Nombre de pages : 05 + 2 pages annexes techniques Documents et calculatrice non autorisés Codage (réservé à l’administration) - -----------------------------------------------------------------------------------Nom & prénom : …………………………………………………………… Groupe : ………………………………….…… CIN : ……………………………………………… N° inscription : …………………………… Codage (réservé à l’administration) - -------- 1 0 1 Exercice 1(6 points) Soit l’équation suivante : = + + + + + + + NB : Les questions 2 et 3 sont indépendantes 1. Simplifiez l’équation en utilisant le tableau de Karnaugh. WX UV …………………………………………………………………………………………………………………………………… 2. Donnez le logigramme de à l’aide d’une porte AND et une porte XOR. …………………………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………………………… 2 3. Donnez le schéma qui réalise cette fonction à l’aide du multiplexeur 4 vers 1. Exercice 2 (8 points) D’après le document technique de la mémoire MCM6226A (annexe 1), précisez les données suivantes : 1- Les caractéristiques de la mémoire à savoir : Type de la mémoire ……………………………………………………………………………………………. Capacité……………………………………………………………………………………………………………. Niveau de tension d’alimentation……………………………………………………………………….. Organisation………………………………………………………………………………………………………… Constructeur…………………………………………………………….………………………………………… 2- Décrire brièvement les différents entrées et sorties de cette mémoire. ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… 3 3- Expliquez les différents modes de fonctionnement. ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… 4- Précisez l’état des entrées qui permettent de configurer le mode écriture. ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… …………….…...………………………………………………………………………………………………...………………………………………… 5- Donnez, dans ce cas, les niveaux respectifs à envoyer sur les entrées pour valider l’écriture de l’octet $4E à l’adresse $1E2B4. ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… ………….…...………………………………………………………………………………………………...…………………………………………… 6- Selon le type de cette mémoire, complétez le tableau suivant par oui ou non. Nécessite un rafraîchissement Ne se programme qu’une seule fois Peut s’effacer avec une lampe ultra-violet S’efface électriquement avec une tension différente de celle de l’alimentation. Perd son contenu lorsqu’il n’est plus alimenté Garde son contenu même lorsqu’il n’est plus alimenté Exercice 3 (6 points) On veut fabriquer un plan mémoire à partir de mémoires contenant 2 kmots de 8 bits par boîtier. 1. Précisez la taille du bus de données et du bus d’adresse de cette mémoire. …………………………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………………………… 4 2. Proposez un schéma de câblage pour réaliser une mémoire totale de 2 kmots de 16 bits. 3. Proposez un schéma de câblage pour réaliser une mémoire totale de 8kmots de 8 bits. 5 Annexe 1 : Datasheet de la mémoire MCM6226A Annexe 1 6 1/2 Annexe 1 7 2/2