Soole Nalionalc <l'ing(:rrir:rrrs tlt: Srnrsse 2009/20t0
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E:er:ciqe_L
I]élerrninez le rnode tle ['oIrc1;ionnement d. transistor bipolaire cle chacun des circuits suivants
Dételrninez les tensions à chaque noend et f"" """.r"t" dans chaque branche.
I]::!r:" : B= I00, lV,,ol= O",i V, \/r.ri.su,= 0 V. r.c,n est infinie
IB 11'e.\t po.\ uégli,r:cahlc devqnt Ic !
Ecole Nationale d'ingénieurs de Sousse
oepu.t"r"nr a'li""troïiqrîinàurtri"rt, 2009/2010
Electronique analosioue
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Exercice 3
une élévation de la température du transistor àu circu,it 5 change ses caractéristiques de
la façon suivante : le gain B passe de g5 à r00 et ra tension,e jonction vrn change de 0.? v à
o'6v' Déterminez les variatio's relatives subies par re courant Ic et la tension vr:c.
Âls: i3{1 lio
r --'-'v'\ti''lÀ
I
Circuit S
Exercice 4
On considère le circuit de la figure ci_contre
1. Déterminer Ic, Vca, ainsi que le mode de fonctionnement
du transistor.
2. Qu'obtiendrait-on pour L. et Vcr si on négligeait le
courant de base h ? Expliquez ce r.ésultat.
3. En trtilisant la même approximation qu,à la question 2,
calculez :
(a) la puissance totale délivrée par les sources de tension,
(b) la puissance dissipée par Rri,
(c) Ia puissance dissipée par le transistor.
Données:
lvnul= O.Z V, B = f 50, Vcr:.s,r= 0 V. rcri infinie. In*Ir:
: ll.ri h(l Æs: : 3.3 kt)
---".l-^*.. i1"; :311 1'
3 Â.c. : Lr ko
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Æ, l',: + ,
<a- -\ f
Elx.erclae ?
On considèrc le circuit cle la figure ci-contr.e. l,e transistor est
caract6risé pâr' : B= 200, lvnf i= 0.7 V, Vr:g.s",r 0 V. rcr infinie. Li_I..
Lln rlispose rl'une terrsion d,alirnentation Vc<. de 12 \r
f)éterminez les r'ésistarrcesffi)nr, n,.et Rr telles que: Ic = 1.3 mA,
\r'r:r: = 4 V. Rr/Iï: = 5- On peut aupposer que B>> I'
, ']
{-:.. J .;: ) fr ,.,
l---l- Ii,- =3111'
/ir , {l.S liQ l; ;.1 fi. :31.1;
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À12 = 1 trç: :i i; fir = î.L() (l
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I -t-
Circuit 4
I 6..6: : iJ \
U2
Rr =22kO, Rz= l0kO, Rc=2.2 kO, Rr= I ke,Vnn = lbVetVrc=SV.
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