Quatrième Conférence Internationale sur le Génie Electrique CIGE’10, 03-04 Novembre 2010, Université de Bechar, Algérie La génération de chaleur dans un MESFET GaAs Submicronique Naima Kaddouri Université Bechar, [email protected] Résumé— Le MESFET GaAs est le dispositif actif clé dans les circuits numériques et analogiques à haute fréquence. Compte tenu de la demande croissante de dispositifs performants qui fonctionnent à haute vitesse et dans une grande gamme de fréquences, les dimensions caractéristiques du MESFET ont été diminuées jusqu’aux dimensions submicroniques. Cependant cette diminution engendre une augmentation de température du composant à cause des collisions entre les électrons et le réseau .Cet échauffement réduit les performances en puissance et diminue la durée de vie du composant. Le but de ce travail est de traiter le problème de la génération de chaleur dans le MESFET GaAs submicronique afin de rendre compte de l’influence de l’auto échauffement sur les propriétés du composant. Mos-clés, Mesfet GaAs submicronique; Phonon optique ; Phonon acoustique ; relaxation ; effet Joule. I. INTRODUCTION Le MESFET GaAs est un transistor à effet de champ à jonction métal-semi-conducteur contenant une grille où on applique la tension de commande (Vgs),une source et un drain entre lesquels circule le courant Ids à travers une couche d’arséniure de Gallium appelée canal, ce dernier est placé sur un substrat GaAs semi-isolant. Il présente l’avantage de ne faire intervenir qu’un seul type de porteurs (les électrons) dans le processus de conduction du courant Fig.1 La structure du MESFET et emplacement des sources de polarisation L'épaisseur de la couche active conductrice étant contrôlée par la tension grille qui repousse les électrons, le courant est d'autant plus faible que celle-ci est négative. Lorsque la tension drain-source augmente, la zone de charge d'espace créée par la grille s’élargie vers le drain, la différence de potentiel y étant plus importante. II. MECANISME DE GENERTION DE CHALEUR. La bande de conduction de GaAs présente plusieurs minima : Le minimum central Γ correspond à des électrons de faible masse effective Des minima satellites en bordure de la zone de Brillouin : 4 vallées L équivalentes, 3 vallées de type X ; les électrons ont une grande masse effective et une faible mob , faible mobilité µ. A faible champ électrique, tous les électrons sont dans le minimum Γ Quand le champ électrique augmente certains électrons sont transférés les vallées satellites La vitesse des électrons atteint la vitesse de saturation quand la plus part des électrons sont transférés dans les vallées satellites. Les électrons accélérés par le champ électrique intense dans le MESFET GaAs à grille submicronique s'échauffent et deviennent énergétique. Ces électrons sont appelés des électrons chauds. Lorsque les électrons sont transférés vers les vallées satellites, ils interagissent avec les phonons optiques longitudinaux afin de délivrer leur énergie. Ces interactions sont en fait des mécanismes de retour à l’équilibre, c’est-àdire de relaxation, donc, les électrons transfèrent leur énergie à ces phonons en émettant des phonons optiques longitudinaux, la température de ces phonons augmente en raison du transfert d'énergie provenant des électrons. 180 Journal of Scientific Research N° 0 vol. 2 (2010) Quatrième Conférence Internationale sur le Génie Electrique CIGE’10, 03-04 Novembre 2010, Université de Bechar, Algérie Ce mécanisme de relaxation prend un certain temps pour ramener le système à l’équilibre et le temps de relaxation électrons - phonons optiques longitudinaux est proche de 0.1µs Bien que les électrons puissent transférer l’énergie aux phonons optiques longitudinaux, ce mode ne peut conduire la chaleur puisque sa conductivité thermique est négligeable. La chaleur est donc transférée aux phonons acoustiques, qui la propagent à la vitesse du son dans le réseau. Le temps de relaxation phonons optiques longitudinaux - phonons acoustiques est proche de 8µs. j S n Qn ( w k BTe ) n e (2) Jn .En est le terme de l’échauffement Joule, E est le champ électrique, J est la densité de courant des particules. Qn est le flux de l’énergie thermique et vaut : Qn k n Tn (3) Tn est la température des porteurs, Kn est la conductivité thermique des porteurs. kB est la constante de Boltzmann. Uwn est le taux du transfert d’énergie due aux collisions et est égale à . Champ électrique élevé L’équation de conservation des particules : n .(nv) 0 t Electrons chauds Emission de L’équation de conservation du moment de l’électron : Emission de Phonons optiques Phonons acoustiques Génération de chaleur dans le dispositif. v e m E m (nk B Te ) 0 m* nm * (5) Où n est la densité des électrons. v est la vitesse moyenne et le temps de relaxation du moment de l’électron = 10-13s. La densité du courant « jn» des particules s’écrit : Fig. 2 Mécanismes de génération de la chaleur dans le dispositif. A cause de la divergence des temps caractéristiques de relaxation, les phonons optiques longitudinaux tendent à s’accumuler puis sont réabsorbés par les électrons retardant ainsi le refroidissement de l’électron. L’augmentation de la réabsorption de phonons émis élève l’énergie des électrons, ce qui accroît leur température et donc, réduit leur mobilité cet donc diminue le courant électrique. L’échauffement causé par le transport d’électrons chaud est appelé l’échauffement par effet Joule. III. EQUATIONS REGISSANT LE TRANSPORT D’ENERGIE La température est une mesure de l’énergie cinétique du mouvement aléatoire et l’équation régissant la température des porteurs/réseau peut être déduite du principe de l’équilibre de l’énergie en combinaison avec l’équation de Poisson. Le principe de l’équilibre de l’énergie donne : Wn .S n jn .En u wn t (4) jn env A partir de l’équation (4) et (5) , on trouve l’expression : n . n E (nk BTe ) 0 t en n .( nE ) . (nkBTe ) 0 t e L’indice n dénote soit e (électron), LO (phonon LO) ou A (phonon acoustique), t est le temps (7) (8) A partir de la relation (6) et (8) , on déduit l’expression de la densité du courant : n 1 .( j ) t e (9) Le champ électrique est obtenu en résolvant l’équation de Poisson : 2V e( N D n) / s (1) (6) (10) D’où V est la tension, est la permittivité, ND est la concentration du dopage. Le champ électrique est : E V (11) W est la densité de l’énergie cinétique. Sn est le flux d’énergie donné par : 181 Journal of Scientific Research N° 0 vol. 2 (2010) Quatrième Conférence Internationale sur le Génie Electrique CIGE’10, 03-04 Novembre 2010, Université de Bechar, Algérie IV. RESULTATS & DISCUSSIONS Une simulation bidimensionnelle basée sur la méthode de différences finies est utilisée pour décrire la génération de chaleur dans ce dispositif submicronique : x(µm) GRILLE SOURCE DRAIN 0.1 y(µm) 0.2 0.2 Un des problèmes majeurs dans les transistors de puissance est la dissipation de chaleur. La figure 5 montre une coupe transversale du MESFET et une vue conceptuelle de la dissipation de l’énergie le long de la distance latérale du canal basées sur la simulation du champ électrique dans le canal du MESFET. 0.1 S 0 G D (c) 0 0.1 SOURCE 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 x(µm) GRILLE 0.9 1 Canal MESFET DRAIN Fig.3 Lignes de contour correspondant au taux d’échauffement par effet Joule. Pas = 5.1015 W/m3 . On peut voir clairement que le taux de l’échauffement par effet Joule a un pic du côté drain du canal. On note que cette valeur atteint à 3,5.1016 W/m3. Ce taux d’échauffement par effet Joule important montre qu’une élévation de la température est possible dans cette zone induisant ainsi des phénomènes de dérive thermo - assistés. Bien que le courant passe à travers le canal du MESFET du drain vers la source, la chaleur n’est pas générée d’une façon homogène le long du canal. La simulation du transport électronique le long du canal montre que la chaleur générée est localisée dans un volume situé entre la grille et le drain. La zone correspondante à une maximale de la chaleur coïncide avec la position maximale du champ électrique. Zone de génération maximale de la chaleur Source Grille Drain Couche active GaAs Substrat semi-isolant Fig. 4 Zone de génération de la chaleur dans un MESFET GaAs submicronique Même si on peut localiser avec précision la zone où la génération de chaleur sera maximale, la chaleur sera globalement générée dans une zone plus étendue entre la grille et le drain. A cause de cette augmentation de température, la mobilité de l’électron diminue dans le canal, une vitesse plus faible existe sous la grille. C’est pourquoi le courant de drain diminue avec l’augmentation de la conductivité thermique Pour les grands voltages de drain. Ainsi, l’effet hors équilibre des électrons chauds réduit le courant de drain. Énergie Dissipée La Fig.3 est une présentation des lignes de contour correspondant au taux d’échauffement par effet Joule. La zone correspondante à une maximale de la chaleur coïncide avec la position maximale du champ électrique. Fig. 5 La dissipation de l’énergie le long de la distance latérale Une partie de la chaleur générée dans le canal est conduite à la surface supérieure de la puce, où la chaleur peut être transférée à l'environnement par convection . Cependant, le refroidissement dû à la convection est négligeable à cause de la petite superficie impliquée. Une grande partie de la chaleur dans le canal est transférée par conduction à travers le substrat, qui sert de support, à la puce, puis au radiateur (refroidisseur). La chaleur qui arrive au radiateur doit ensuite être évacuée par l'air ambiant à travers le dissipateur. La résistance thermique du GaAs est directement liée à la puissance dissipée. Cela signifie qu’une forte conductivité thermique du matériau permet l’évacuation de la puissance dissipée (sous forme de chaleur) sans échauffement important de celui-ci. Plus la conductivité thermique est importante, plus l’évacuation des calories est favorisée, moins il y a d’auto échauffement pour une puissance dissipée donnée. Le substrat GaAs a une mauvaise conductivité thermique. Si on considère les effets néfastes de l’augmentation de la température sur un amplificateur, on comprend aisément qu’il soit nécessaire pour une application donnée que la résistance thermique soit aussi faible que possible. Bien que 182 Journal of Scientific Research N° 0 vol. 2 (2010) Quatrième Conférence Internationale sur le Génie Electrique CIGE’10, 03-04 Novembre 2010, Université de Bechar, Algérie la résistance thermique soit une constante non modifiable dans la technologie choisie, il est tout de même possible de la diminuer avec des drains thermiques.(Extraire la chaleur et l’évacuer loin de la zone active en ajoutant un pont donc les calories sont évacuées par le drain thermique mais devront retraverser le substrat par les trous métallisés pour être dissipée au niveau de la face arrière). Des transistors pouvant supporter des températures élevées fabriqués à base de semi-conducteurs à large bande interdite tel GaN et SiC sont proposés car ces matériaux possèdent une conductivité électrique importante et donc une conductivité thermique importante. Cependant, la faible résistivité de leurs substrats provoque des courants de fuites importants, ce qui augmente la puissance dissipée du dispositif et diminue ainsi la puissance transmise par celui-ci. Cette faible résistivité des substrats entraîne aussi la présence de capacités parasites de couplage avec le substrat, ce qui réduit les performances en termes de fréquence des circuits micro-ondes. La présence d’effets de piégeage est une autre limitation. CONCLUSION Tout composant semi-conducteur est sujet aux problèmes d'auto-échauffement lorsqu'il est soumis à des contraintes électriques. Plusieurs mécanismes peuvent générer la chaleur dans ces dispositifs à semi-conducteur. Dans un MESFET GaAs submicronique, la cause primordiale de l’auto-échauffement est l’effet Joule. La génération de chaleur par effet Joule se produit à cause des collisions entre ces électrons et le réseau. En fait, par le biais de ces collisions, le réseau absorbe l’énergie de ces électrons ce qui entraine l’augmentation de sa température. la chaleur générée est localisée dans un volume situé entre la grille et le drain. L’élévation de température due à l’auto-échauffement dans les conditions normales de fonctionnement a des répercussions sur le courant de sortie (donc sur la puissance de sortie), et sur les performances en fréquence. La chaleur générée dans le canal est transférée par conduction à travers le substrat vers la puce, puis au radiateur. Cette chaleur doit être évacuée ensuite par l'air ambiant. Cependant, à cause de la grande résistivité, et donc la faible conductivité thermique du substrat GaAs, ce dernier ne permet pas l’évacuation rapide de la chaleur du composant, ce qui entraîne un échauffement de celui-ci. REFERENCES 1- D. Look, Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices, John Wiley .New York :, 1989 1- M. Pirola, Ghione. 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