1 PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR I BUT Les semiconducteurs sont des matériaux dont la conductivité, intermédiaire entre celles des isolants et celles des conducteurs, varie de plusieurs ordres de grandeurs sous l'effet de la température, de l'éclairement, de dopage. L’objet de cette étude est de caractériser les propriétés électriques d’un matériau semiconducteur et leur variation à haute température. Cette étude passe donc par une caractérisation électrique classique : la conductivité et l’effet Hall. Il sera alors possible de déterminer quelques paramètres clés des échantillons tels que la mobilité et la concentration de porteurs. Il sera ensuite possible de déterminer le coefficient K H, paramètres essentiels pour une application «capteurs magnétiques» basé sur l’effet Hall. II RAPPEL THEORIQUE II.1 STRUCTURE DE BANDES Un solide cristallin est constitué par la répétition périodique d’un motif élémentaire, les atomes sont ainsi situés aux nœuds d’un réseau régulier périodique. Les noyaux et les électrons sont en interaction coulombienne. Dans une description des propriétés électroniques d’un solide cristallin, on prend en compte l’interaction de chaque électron avec le potentiel spatialement périodique créé par le réseau d’ions, en négligeant les interactions des électrons entre eux. Dans ce modèle, les états i accessibles à chaque électron ont des énergies Ei qui se regroupent en bandes. Les intervalles d’énergies sur lesquels n’existe aucune énergie électronique sont appelés bandes interdites (voir figure ci-dessous). Dans un semiconducteur à température nulle, toutes les liaisons covalentes du cristal sont satisfaites : les électrons remplissent entièrement les bandes d’énergies accessibles les plus basses. La bande d’énergie remplie la plus élevée est nommée bande de valence, l’énergie du haut de la bande de valence sera notée Ev. La bande vide la plus basse est la bande de conduction, l’énergie du bas de la bande de conduction sera notée Ec. La bande interdite qui sépare ces deux bandes est appelée "gap", l’énergie du gap est Eg=Ec-Ev. Le gap Eg des semiconducteurs s’étend de 0 à quelques eV selon les matériaux. Par exemple : germanium Ge : Eg (à 300K)= 0.67 eV ; silicum Si : Eg (à 300K)= 1.12 eV II.2 SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUE Un semiconducteur intrinsèque est un semiconducteur pur, c’est-à-dire dans lequel il y a très peu d’impuretés, typiquement moins de 1010cm-3 (la concentration d’atomes dans un cristal est de l’ordre de 1022cm-3) et par conséquent les électrons de la bande de conduction proviennent uniquement de la bande de valence. A T=0K, toutes les liaisons covalentes d’un cristal de Si par exemple sont satisfaites. Quand on augmente la température, des électrons sont détachés de certaines liaisons et peuvent se déplacer dans le cristal (en particulier sous l’effet d’un champ électrique, ce qui crée un courant). Donc quand la température croît, des électrons du haut de la bande de valence peuvent être excités thermiquement dans des états du bas de la bande de conduction (ionisation intrinsèque): des états de la bande de conduction sont alors peuplés par des électrons. Les états de la bande de valence laissés vacants sont appel des trous (un trou est défini comme l’ensemble des électrons d’une bande pleine moins un électron, par conséquent sous l’action de champs électriques ou magnétiques, les trous réagissent comme des porteurs de charge mobiles possédant une charge positive +e). Si on appelle n la densité d’électrons et p la densité de trous, on a dans un semiconducteur intrinsèque n=p. Variation en température de la densité de porteurs: n(T) = p(T) = N0exp(-Eg/2kBT) , où N0 est une fonction lentement variable de T puisque N0 est proportionnel à T3/2. La variation en température de n(T) est donc dominé par le facteur exponentiel: n(T) ~ exp(-Eg/2kBT). A T = 300 K, on trouve typiquement dans le Silicium une densité d’électrons dans la bande de conduction de l’ordre de 1010cm-3 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR 2 II.3 SEMICONDUCTEUR EXTRINSEQUE On rend le semiconducteur plus conducteur en lui incorporent une très petite proportion des éléments étrangers - un semiconducteur dans lequel on a introduit volontairement des impuretés (avec une concentration d'atomes typiquement de 1015 à 1018 cm-3) est appelé semiconducteur extrinsèque ou semiconducteur dopé. Selon la valence des éléments étrangers ajoutés on peut obtenir un matériau avec l'excès d'électrons, il est dit "semiconducteur de type n" ou un matériau avec le défaut d'électrons (l'excès de trous), il est dit "semiconducteur de type p". Par exemple on obtient du Silicium de type n en ajoutant des éléments pentavalents (P, As, Sb… ou tout élément de la colonne V du tableau périodique). Les atomes pentavalents qui se substituent aux atomes tétravalents de silicium dans le réseau cristallin possèdent un électron en surnombre par rapport aux liaisons covalentes; cet électron supplémentaire peut être facilement libéré (par l'agitation thermique par exemple) de l'atome pentavalent qui est appelé atome donneur (d'électron): il devient un porteur libre négatif et la conductivité correspondante est dite "par excès d'électrons" ou la conductivité de "type n". On obtient du Silicium de type p en remplaçant une certaine proportion d'atomes de silicium par des atomes trivalents (B, Al, Ga, In… ou tout élément de la colonne III du tableau périodique), auxquels il manque un électron par rapport a la structure tétravalente du silicium. Ces atomes, dits accepteurs, captent facilement un électron du réseau. L'électron capté laisse subsister un "trou positif " dans le réseau, trou qui se trouvera comblé, au bout d'un certain temps, par un électron du voisinage. Un trou peut donc migrer d'atome en atome dans le réseau. La conductivité est alors par "défaut d'électrons" ou de "type p". Atome donneur (Phosphore) et accepteur Dans un semiconducteur intrinsèque ioniser un électron (Bore) dans un réseau de Si (chaque point participant à une liaison covalente Si-Si consiste à le faire noir représente un électron) passer de la bande de valence dans la bande de conduction. Dans un semiconducteur extrinsèque, ioniser l’électron de l’atome de P (donneur), qui ne participe pas à une liaison covalente P-Si, est nettement plus facile et l’énergie nécessaire pour le détacher et l’amener dans la bande de conduction est inférieure à Eg. On peut par conséquent considérer qu’à l’atome P est associé un niveau d’énergie ED discret, appelé niveau donneur, situé dans le gap juste en-dessous de la bande de conduction. Ed=Eg-ED est l’énergie d’ionisation de l’atome P, l’ionisation sera d’autant plus facile que ED est proche du bas de la bande de conduction. A basse température, ce niveau est occupé par un électron, mais si on augmente la température, cet électron passe dans la bande de conduction et le niveau est alors vide. Idem pour un accepteur. Par exemple : Phosphore introduit dans Ge : Ed=12 meV ; Phosphore introduit dans Si : Ed=44 meV Les impuretés accepteuses fournissent des trous supplémentaires au système. Ce sont par exemple des atomes de Bore en substitution aléatoire dans un cristal de Silicium. Cet atome de B a trois électrons de valence, et pour réaliser une liaison B-Si, un électron doit être pris dans une liaison Si-Si voisine. L’électron provenant de la liaison Si-Si était dans la bande de valence où il laisse un trou. Comme dans le cas des donneurs, on peut par conséquent considérer qu’à l’atome B est associé un niveau d’énergie EA discret, appelé niveau accepteur, situé dans le gap juste audessus de la bande de valence. Ea=Eg-EA est l’énergie d’ionisation de l’atome B. A basse température, ce niveau est occupé par un trou, mais si on augmente la température, ce trou passe dans la bande de valence et le niveau est alors vide. Par exemple : Bore introduit dans Ge : Ea=10 meV ; Bore introduit dans Si : Ea=46 meV Densité des états électroniques accessibles dans un semiconducteur 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR 3 II.4 VARIATION EN TEMPERATURE Soit un semiconducteur de type n, dopé avec des donneurs en concentration ND. La figure cidessous montre la variation de la densité n d’électrons dans la bande de conduction en fonction de 1/T. A basse température la plupart des donneurs ne sont pas ionisés et la concentration n reste très faible. Quand la température croît, les donneurs s’ionisent: c’est le régime d’ionisation extrinsèque dans lequel n = n0exp((Ec-ED)/2kBT), où n0 est une fonction lentement variable de T puisque n0 est proportionnel à T3/4, le facteur exponentiel dominant la variation en température n ~ exp((EcED)/2kBT). Dans ce régime, le nombre d’électrons provenant de l’ionisation extrinsèque est bien plus grand que le nombre d’électrons ni provenant de l’ionisation intrinsèque. Pour des températures plus élevées, mais telles que l’ionisation intrinsèque reste un processus peu efficace, on aura ionisé tous les donneurs et ni << ND, donc n est pratiquement constant: n ~ ND, c’est le régime de saturation extrinsèque. En général, on est dans le régime de saturation extrinsèque à température ambiante. Si on continue à augmenter la température, il arrive un moment où l’ionisation intrinsèque n’est plus négligeable et il est même possible de se trouver à très haute température dans la situation n = ni >> ND. Dans ce régime intrinsèque, on retrouve que n varie comme exp(-Eg/2kBT) . II.5 CONDUCTIVITE UN SEUL TYPE DE PORTEURS Soit de porteurs de charge q (électrons ou trous) de masse m, soumis au champ électrique E. On considérera qu’il n’y a dans le cristal qu’un seul type de porteurs (c’est le cas dans les semiconducteurs extrinsèques), dont la densité est notée n . Dans le solide, ces porteurs sont également soumis à des forces aléatoires dues aux interactions avec diverses imperfections du milieu (vibrations thermiques du réseau, présence d’impuretés,....). On représentera simplement l’effet moyen de ces interactions par une force de frottement de la forme mv/τ où v est la vitesse moyenne des porteurs et τ le temps de collision moyen caractéristique du matériau à température donnée. En régime stationnaire la relation fondamentale de la dynamique conduit à : q v E m q m (en général, la mobilité est plus petite pour les trous que pour les électrons, car la masse des trous est supérieure à la masse des électrons) On appelle la mobilité des porteurs dans le matériau telle que |v|=|E| d'où : La densité de courant est alors j qnv o E où : o qn est la conductivité du matériau. Attention : de type On notera qu’elle est indépendante du signe de la charge q donc les mesures conductivité (résistivité) ne permettent pas de distinguer les conducteurs de n de ceux du type p La résistivité du matériau est : o 1 o DEUX TYPES DE PORTEURS On considère maintenant deux types de porteurs (1) et (2) de charges, densités et mobilités respectives q1, n1, µ1 et q2, n2, µ2 (par exemple deux types d’électrons ou bien des électrons et des trous). Dans tous les cas | q1|=| q2| = e, charge de l’électron. Les courants dus aux deux types de porteurs s’ajoutent : j = j1 + j2 On en déduit alors que : e(n11 n 2 2 ) Par exemple dans un semiconducteur intrinsèque, on a deux types de porteurs: des électrons de mobilité µe et des trous de mobilité µh, en nombre égal n1 =n2 = n, donc : = en(µe + µh). 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR 4 II.4 EFFET HALL UN SEUL TYPE DE PORTEURS L'effet Hall est un phénomène qui se manifeste dans un solide (métal ou semiconducteur) quand il est parcouru par un courant continu I et soumis à un champ magnétique perpendiculaire B. Cet effet est dû a la déviation par le champ B, du flux d'électrons participant au courant I : c'est la forte accumulation d'électrons d'un côté du solide, donc de "trous" sur la face opposée, qui crée la différence de potentiel qu'on appelle "tension de Hall". Cette tension a une valeur stable car la concentration d'électrons (et "trous") crée un champ électrostatique a effet antagoniste de l'action de l'induction magnétique. Sur un électron donné en mouvement, l'induction magnétique B induit une force : FB e v B evx Bµy Du fait de la concentration en électrons, on a un champ électrostatique Ey qui va agir sur l'électron donné selon : V FE e E y e µy l Lorsque les deux forces s'équilibrent on a une valeur stable du champ électrostatique Ey, donc une différence de potentiel V constante. On l'appellera VH : tension de Hall. V VH vx B On écrira : e H ev x B d’où: I Soit : j x c'est densité de courant dans la direction Ox, v x K H jx K H S Définissant la valeur KH qui caractérisera le corps étudié et que l'on appellera sa constante de Hall. On a alors : VH K H I B S La constante de Hall K H Soit K H VH S V Hd IB IB et d sont les dimensions d'une section droite du solide. d VH est une donnée du corps étudié, liée à la densité des B IH porteurs de charge n. r ou le paramètre r dépend de modes de diffusion de ne porteurs dans le matériau. Dans un semiconducteur dopé (cas du T.P.) on peut l'assimiler à r=1. On peut démontrer que : K H Les grandeurs V H, I, B et d sont assez aisément mesurables. On peut donc déterminer expérimentalement la constante KH et en déduire le nombre de porteurs de charge n par unité de volume par la relation : K H Attention : 1 Vd H n e IB (e=1.601x10-19 C) l'effet Hall permet de mesurer la densité des porteurs de charge et, par conséquent, de déterminez le type du semiconducteur. En effet, les mesures d'effet Hall permettent, grâce a la détermination du sens de la tension de Hall par rapport aux sens de I et de B de distinguer entre les semiconducteurs du type n et du type p. DEUX TYPES DE PORTEURS On considère maintenant deux types de porteurs (1) et (2) de charges, densités et mobilités respectives q1, n1, µ1 et q2, n2, µ2 (par exemple deux types d’électrons ou bien des électrons et des trous). On obtient pour la tension de Hall UH la formule suivante: q1n112 q 2 n 2 22 IB UH 2 e (n11 n 2 2 ) 2 d 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR 5 Dans le cas particulier d’un semiconducteur intrinsèque, n1 = n2 = n et les électrons et les trous sont de charges opposées, cette formule devient: UH 2h e2 IB (e h ) 2 ned o'u µe et µh sont les mobilités respectives des électrons et des trous. On voit que ce sont les porteurs qui ont la plus grande mobilité (en général, ce sont les électrons) qui l’emportent dans l’effet Hall. Si µe=µh , l’effet Hall disparaît ! III DISPOSITIF EXPERIMENTAL III.1 MATÉRIEL UTILISE Un échantillon monocristallin de germanium de type n, de longueur = 0,0200 ±0,0005 m et de section S=10-5 m2 ( d=10-3 ±10-5 m) montés sur les carte imprimées. Un électro-aimant constitué de 2 bobines et de 2 pièces mobiles qui constituent l'entrefer. La largeur de l'entrefer est fixée à 1 cm. Une alimentation en continue pour l'alimenter de l'électro-aimant et un alimentation 12V en alternative pour l'appareil "effet Hall" Un commutateur en croix pour inverser la polarité aux bornes de l'électroaimant Un Appareil de base pour l’étude de l’effet Hall Un voltmètre numérique pour mesurer la tension. Une sonde de Hall et un tesla mètre pour l'étalonnage du de l'électroaimant. III.2 APPAREIL DE BASE POUR L’ETUDE DE L’EFFET HALL FACE AVANT : 1- potentiomètre de réglage du courant IH 2- afficheur : courant IH/température 3- filetage pour le support 4- indicateurs à LED de mode de travail 5- douille de sortie VH 6- place pour la sonde de Hall 7- sélecteur d'affichage IH/Température 8- potentiomètre de la compensation de VH 9- prise pour les platines amovibles avec Ge 10- douille de sortie Vcond FACE ARRIERE : 11 douille d'entrée 12V d'alimentation 12 interrupteur de chauffage 13 interfaces RS 232 Géométrie de contacts sur la platine d'échantillon (voir ci-contre). Repérer sur la sur l'appareil les contacts de courant A et B en configuration d'effet Hall et les deux contacts servant à mesurer la tension de Hall C et D. Attention : dans la configuration de la plaquette la tension de conductivité (VAB) sera mesurée avec la résistance de contacts. 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR 6 IV MANIPULATIONS IV.1 ETALONNAGE DE L'ELECTROAIMANT Afin de connaître le champ magnétique B en fonction du courant IB qui circule dans les bobines, on se propose de faire l'étalonnage de l'électroaimant avec la sonde de Hall disponible. Connecter l'alimentation de l'électroaimant par l'intermédiaire d'un commutateur en croix. Les bobines sont branchées en parallèles. On utilise pour la mesure de l'induction magnétique B, un Teslamètre, appareil qui est basé sur la mesure de la tension de Hall donnée par une sonde étalonnée. Cet appareil donne directement sur sa face avant, la valeur de l'induction B en milliTesla qui existe au voisinage de la sonde. Placer la sonde de hall perpendiculaire au champ dans l'entrefer. Attention : Avant une mesure utiliser le réglage ZERO pour la mise à zéro du Teslamètre, en l'absence de champ magnétique agissant sur la sonde. Pour différentes valeurs du courant d’alimentation IB des bobines (on prendra par exemple une valeur de IB tous les 0,5 A jusqu'à IB=2.5A) mesurer l'induction magnétique B au centre de l'électroaimant. Tracer la courbe d'étalonnage de l'électroaimant : B(IB) IV.2 ETUDE DE Ge TYPE n IV.2.1 DETERMINANTION DE LA RESISTIVITE Cette mesure est réalisée en l'absence de champ magnétique Placer l'échantillon de type n dans l'appareil "effet Hall" Réaliser les branchements nécessaires au niveau de l'appareil "effet Hall" : - brancher le voltmètre - brancher l'alimentation 12 V : montage en série avec un rhéostat R – voir la figure ci-contre - faire vérifier le montage. Faire passer un courant IH, de quelques milliampères. Mesurer la tension VAB. Faire plusieurs mesures pour différentes valeurs de IH (± ; 10 mA ; 15 mA, …) de façon à préciser les mesures. Ne jamais dépasser IH 30 mA. Déterminer la résistivité de matériau étudié. IV.2.2 DETERMINANTION DE LA CONSTANTE DE HALL La tension ohmique mesurer en l'absence de champ magnétique est liée à la forte résistivité de l'échantillon. Dans le cas d'une asymétrie de contacts C et D elle produit VH(B=0) ≠ 0, dite une tension résiduelle Vr. Cette tension s'ajoute a la tension de Hall VH pour former la tension mesurée Vm = Vr + VH. Réaliser les branchements nécessaires l'électroaimant – voir la figure ci-contre, faire le vérifier pour alimenter a) TENSION RESIDUELLE COMPENSEE On suppose la tension Vr indépendante de B (pas d'effet de la magnétorésistance). Placer l'échantillon dans l'entrefer de l'électroaimant Basculer le commutateur en croix en position "B+" Pour un IH donné et en l'absence de champ magnétique, compenser la tension résiduelle Vr en agissant sur le potentiomètre de compensation "UH Comp" Mesurer VH en fonction de B jusqu'a Bmax Tracer la courbe VH=f(B). Est-elle conforme à la théorie ? En déduire KH 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR 7 b) TENSION RESIDUELLE QUELCONQUE Basculer le commutateur en croix en position "B+" Travailler à un Bo fixe que l'on connaît grâce a la courbe d'étalonnage obtenue précédemment pour une même largueur d'entrefer. Pour un IH donné mesurer la tension Vm (la position quelconque du potentiomètre "UH Comp"). Attention au signe de Vm ! Arrêter l'alimentation de l'électroaimant (IB=0) et basculer le commutateur en position "B-" Etablir le champ Bo et mesurer la tension Vm. Calculer la tension de Hall : Vm(B+) = Vr + VH et Vm(B-) = Vr - VH d’où : VH= [Vm(B+)- Vm(B-)]/2 En déduire KH IV.2.3 INFLUENCE DE LA TEMPERATURE Enclencher le chauffage, attendre jusqu'à la stabilisation de la température Tmax (environ 160°C – si nécessaire, ajuster la valeur de courant en agissant sur la résistance R). Déterminer la résistivité de matériau étudié (voir la manipulation IV.2.1) Refaire la manipulation IV.2.2.b IV.3 CALCUL DU NOMBRE DE PORTEURS ET DE LA MOBILITE A partir des résultats précédents, calculer le nombre de porteurs et la mobilité µ et tracer les courbes nH(T) , KH(T) et µ(T) PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR - PROJETDepuis plusieurs années, le Laboratoire L2C a participé au développement d’un capteur magnétique à effet Hall, à base de semiconducteurs III-V qui est utilisé comme capteur de puissance dans le compteur électrique Centron® fabriqué par la société ITRON. A ce titre le L2C present cette activité au Salon International des Energies Renouvelables « Energaïa » ( voir : http://www.energaiaexpo.com). Votre mission, si vous l’acceptez, consiste à proposer une maquette permetant de presenter de façon simple et educatif l’effet Hall, l’application «capteurs magnétiques» basé sur l’effet Hall et, comme une des application pratiques, le capteur de puissance dans le compteur électrique. Vous réaliserez ce travail dans le but de developper une maquette definitive pour une présentation publique. Donnez preuve de votre imagination ! Dans cette partie vous êtes autonomes mais n’hesitez pas a venir voir votre enseignant. Il vous conseillera et vous orientera – il sera vivement interesse par vos propositions ! 13 - PROPRIETES ELECTRIQUES D'UN SEMICONDUCTEUR