PLAN DE COURS Hiver 2016 GEL-3007 13783 - Physique des composants électroniques Informations générales Crédits : 3 Temps consacré : 3-1-5 Mode d'enseignement : Présentiel Site Web : aucun Intranet Pixel : https://pixel.fsg.ulaval.ca Enseignant(s) : Duguay, Michel A. [email protected] Responsable : à déterminer Date d'abandon sans échec avec 25 Janvier 2016 à 23h59 remboursement : Date d'abandon sans échec sans 21 Mars 2016 à 23h59 remboursement : Description sommaire Structure et propriétés de base des semi-conducteurs. Densité et déplacement des porteurs de charge dans les semi-conducteurs. Jonction PN : polarisation directe et inverse, capacité, régime transitoire, claquage. Jonction métal-semi-conducteur. Diodes à jonction. Transistors bipolaires : effet transistor, fabrication, caractéristiques, polarisation, amplification, commutation, effets thermiques. Transistors à effet de champ : à jonction (JFET) et à grille isolée (MOSFET). Composants optoélectroniques : photodiode, phototransistor, cellule photovoltaïque, diode électroluminescente (LED), diode laser. Composants à transfert de charge (CCD). Circuits intégrés : structure, fabrication, modélisation. Liens avec le(s) programme(s) Ce cours participe à la poursuite des objectifs suivants : • posséder les bases conceptuelles et physiques de la discipline du génie électrique. • connaître et exploiter la technologie électronique, en étant en mesure d'apprécier ses fondements physiques; Objectifs À la fin de ce cours, l'étudiant devra être en mesure de : 1/5 • Obtenir un modèle physique permettant la compréhension des caractéristiques V-I et des spécifications des manufacturiers des grandes familles de dispositifs électroniques comprenant diodes, transistors à effet de champ, transistors bipolaires, éléments optoélectroniques tels que les lasers semi-conducteurs, les photodiodes; et les piles solaires; • Établir comment ces caractéristiques V-I et les spécifications changent en fonction des paramètres d'utilisation tels que tension, courant, fréquence et température; • Le cours contribuera à familiariser l'étudiant(e) avec le fonctionnement des dispositifs électroniques et optoélectroniques de façon à ce qu'il/elle puisse comprendre leur utilisation dans la conception des systèmes. Contenu • Structure et propriétés de base des semi-conducteurs (3h) : Interactions et bandes d'énergie dans les solides. Concepts de base essentiels. • Porteurs de charges (3h) : Densité et déplacement des porteurs de charge dans les semi-conducteurs (électrons et trous). Concentration et dérive des porteurs dans un champ électrique et magnétique. • Jonctions PN (3h) : Fabrication. Conditions d'équilibre. Polarisation avant et arrière en régime permanent. Claquage. Transitoires et effet capacitif. Limites du modèle simple. Jonction métal et semi-conducteur. • Diodes à jonction (6h) : Jonction abrupte. Diodes Schottky. Diodes, laser, photodiodes et piles solaires; • Transistors bipolaires (6h) : Amplification et commutation. Principes d'opération du transistor bipolaire. Fabrication. Distribution des porteurs minoritaires et courants thermiques. Polarisation. Commutation. Effets secondaires. Limitations en fréquence du transistor bipolaire. • Transistors à effet de champ (6h) : Transistor à effet de champ à jonction (JFET). Transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET). • Composants optoélectroniques (6h) : Interaction rayonnement semi-conducteur. Photodétecteurs : photodiode, phototransistor, cellule photovoltaïque. Émetteurs à semi-conducteurs : diode électroluminescente (LED), diodes laser. Composants à transfert de charge (CCD). • Circuits intégrés (6h) : Structure et fabrication des circuits monolithiques avantages, types d'intégration. Modélisation Modalités sur les laboratoires Règlement sur la sécurité dans les laboratoires du Département de génie électrique et de génie informatique et formation sur les dangers de l'électricité 2/5 Le Département de génie électrique et de génie informatique a adopté un règlement sur la sécurité dans ses laboratoires. Ce règlement est disponible à l'adresse : http://www2.gel.ulaval.ca/fileadmin/documentation/services/securite/reglements-securite-lab-v2.pdf Tous les étudiants sont priés de respecter celui-ci scrupuleusement. Par ailleurs une formation sur les dangers de l'électricité est offerte aux étudiants à chaque début de session. Certains cours exigent que cette formation soit suivie avant le début des laboratoires. Les étudiants qui n'auront pas suivi cette formation se verront refuser l'accès aux laboratoires. Déroulement du cours Le cours est dispensé en suivant les notes de cours, en raison de trois heures de cours magistraux par semaine. Des problèmes présentés dans les notes sont donnés pour l'approfondissement de la matière. Les travaux pratiques incluant un mini-projet de design sur un sujet au choix libre réalisé par équipe de quatre. Détails sur les modalités d'évaluation L'évaluation est faite à partir de deux examens partiels qui vaudront 35 % + 35% des points. Le mini-projet de design aura 25 % des points et les exercices 5 %. Huit exercices obligatoires, dont trois seront corrigés, devront être remis par les étudiant(e)s. La note de passage est de 50 %. Cependant l'étudiant qui a moins de 50 % pour l'ensemble des examens individuels (i.e. les deux examens partiels) obtiendra un échec. Les révisions de notes seront faites conformément à la procédure officielle du Règlement du premier cycle et des règles de la Faculté seulement. La cote ne sera disponible qu'à la sortie du relevé de notes. Les révisions de notes seront faites conformément à la procédure officielle du Règlement du premier cycle et des règles de la Faculté seulement. La cote ne sera disponible qu'à la sortie du relevé de notes. Échelle des cotes (cycle 1) Échelle des cotes A+ [ 90.00 - 100 ] A [ 85.00 - 89.99 ] A- [ 80.00 - 84.99 ] Réussite B+ [ 77.00 - 79.99 ] B [ 73.00 - 76.99 ] B- [ 70.00 - 72.99 ] Réussite C+ [ 67.00 - 69.99 ] C [ 64.00 - 66.99 ] C- [ 60.00 - 63.99 ] Réussite D+ [ 55.00 - 59.99 ] D [ 50.00 - 54.99 ] E [ 0.00 - 49.99 ] X Réussite Échec Abandon sans échec (dans les délais prévus) 3/5 Bibliographie Obligatoire : Notes de cours Optionnel : "Introduction to Electronic Devices", MICHAEL SHUR, John Wiley & Sons, Inc.,1996. "Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques", H. MATHIEU, 2e édition, Masson, 1994. Modalités d'évaluation Examen Date Heure Pondération de la note finale Document(s) autorisé(s) Examen 1 Mercredi 24 février 15h30 à 2016 17h20 35.00% Tout Examen 2 Mercredi 20 avril 2016 40.00% Tout 15h30 à 17h20 Date d'activité Heure Pondération de la note finale 23h55 n/a n/a 5.00% Mercredi 10 février 2016 23h55 n/a n/a 5.00% 2à4 Mercredi 24 février 2016 23h55 n/a n/a 5.00% TP4 2à4 Mercredi 16 mars 2016 23h55 n/a n/a 5.00% TP5 2à4 Mercredi 6 avril 2016 23h55 n/a n/a 5.00% Travail Équipes Date d'échéance TP1 2à4 Mercredi 27 janvier 2016 TP2 2à4 TP3 Heure Horaire et disponibilités Cours en classe : Lundi Mercredi Disponibilité de l'enseignant : Lundi Mardi Mercredi Jeudi Vendredi 11h30 à 12h20 15h30 à 17h20 09h00 à 17h00 09h00 à 17h00 09h00 à 17h00 09h00 à 17h00 09h00 à 17h00 PLT-3775 PLT-2744 PLT-1119-A (du 11 janv. au 22 avril) PLT-1119-A (du 11 janv. au 22 avril) PLT-1119-A (du 11 janv. au 22 avril) PLT-1119-A (du 11 janv. au 22 avril) PLT-1119-A (du 11 janv. au 22 avril) Politique sur l'utilisation d'appareils électroniques pendant une séance d'évaluation 4/5 La politique sur l'utilisation d'appareils électroniques de la Faculté des sciences et de génie peut être consultée à l'adresse : http://www.fsg.ulaval.ca/fileadmin/fsg/documents/PDF/Calculatrices-autorisees-FSG.pdf. Politique sur le plagiat et la fraude académique Règles disciplinaires Tout étudiant qui commet une infraction au Règlement disciplinaire à l'intention des étudiants de l'Université Laval dans le cadre du présent cours, notamment en matière de plagiat, est passible des sanctions qui sont prévues dans ce règlement. Il est très important pour tout étudiant de prendre connaissance des articles 28 à 32 du Règlement disciplinaire. Celui-ci peut être consulté à l'adresse suivante: http://www2.ulaval.ca/fileadmin/Secretaire_general/Reglements/Reglement_disciplinaire.pdf Plagiat Tout étudiant est tenu de respecter les règles relatives au plagiat. Constitue notamment du plagiat le fait de: 1. copier textuellement un ou plusieurs passages provenant d'un ouvrage sous format papier ou électronique sans mettre ces passages entre guillemets et sans en mentionner la source; 2. résumer l'idée originale d'un auteur en l'exprimant dans ses propres mots (paraphraser) sans en mentionner la source; 3. traduire partiellement ou totalement un texte sans en mentionner la provenance; 4. remettre un travail copié d'un autre étudiant (avec ou sans l'accord de cet autre étudiant); 5. remettre un travail téléchargé d'un site d'achat ou d'échange de travaux scolaires. L'Université Laval étant abonnée à un service de détection de plagiat, il est possible que l'enseignant soumette vos travaux pour analyse. Étudiants ayant un handicap, un trouble d apprentissage ou un trouble mental Les étudiants qui ont une lettre d'Attestation d'accommodations scolaires obtenue auprès d'un conseiller du secteur Accueil et soutien aux étudiants en situation de handicap (ACSESH) doivent impérativement se conformer à la politique d'Accommodations scolaires aux examens de la Faculté des sciences et de génie qui peut être consultée à l'adresse : http://www.fsg.ulaval.ca/fileadmin/fsg/documents/PDF/Politique-Facultaire-Accommodements.pdf 5/5