dea nzihou - Solmatmodelling

Mise au point d'un dispositif
expérimental pour l'étude des photopiles
sous concentration : détermination des
paramètres électriques de deux
photopiles au silicium polycristallin.
Mise au point d'un dispositif
expérimental pour l'étude des photopiles
sous concentration : détermination des
paramètres électriques de deux
photopiles au silicium polycristallin.
Introduction
Rappels théoriques
Résultats Expérimentaux – Discussion
Conclusion - Perspectives
Figure 1 : Photopile monofaciale au silicium
Modèle électrique
Figure 2 : Schéma
équivalent électrique en régime statique
Paramètres électriques
¤ Résistance série :
Puissance maximale :
W.T. PICCIANO :
¤ Résistance shunt :
¤ Facteur d’idéalité :
Vco2  Vco1 
q
A

k  T lnIcc 2   lnIcc1 
¤ Rendement conversion photovoltaïque
 = FF. v. Kp . T
v : facteur de tension
T rendement de transfert d’énergie
max = 0,4 .FF. Vco
:
Dispositif expérimental
Figure 3 :Schéma d’ensemble du système concentrateur.
Schéma électrique
Figure 4 : Schéma électrique de l’expérience
Vco
1(mV)
T°
(K)
Icc1
(mA)
Vco2
(mV)
Icc2
(mA)
Facteur d’idéalité
A
Pp
A
308.
2
412
92.5
194
16.3
4.73
Pp
B
308.
2
488
216
342
25
2.55
Sans concentration
Cg = 7
Cg=11
Cg=16
Cg=25
Vco (mV)
509
527
529
532
522
Icc (mA)
327
661
830
1070
1280
Vm (mV)
322
230
265
294
300
Im
269
462
540
603
640
FF
0.52
0.31
0.33
0.31
0.27
Jcc (mA/cm²)
29.46
59.56
74.78
96.4
115.32
Rs() (1)
0.36
0.3
0.15
0.01
Négative
Rs() (2)
0.76
1.09
0.63
0.26
0.01
139.85
156.65
278.63
202.96

10.6
6.5
7.0
6.6
5.6
T (°C)
42.0
43.0
53.0
57.3
>60.0
Nph (x1019 .s-1)
1.313
1.546
1.628
1.742
-
Rsh()
AVANTAGES
¤ Vco 
¤ Icc 
¤ Rs 
INCONVENIENTS
¤T
¤


Figure 5 : Caractéristique I – V de la photopile B (Pp B)
Figure 6 : Courbes de puissance en fonction de la tension de la photopile B
PERSPECTIVES
¤ Conditions expérimentales ( filtre, radiateur,…)
¤ Aspect théorique