ELECTRONIQUE MONTIGNY Eric Composants semi-conducteurs pour la commutation ♣ Le thyristor : Le thyristor est un composant semi-conducteur qui permet la conduction, si une tension de commande lui est appliquée. Les thyristors sont des dispositifs à semi-conducteurs très utilisés pour contrôler une puissance électrique. La constitution, et le symbole : Caractéristique idéale : Caractéristique réelle : ♠ Exemple d’application : ♣ Le triac : ♣ Le DIAC : Le DIAC est un composant semi-conducteur bidirectionnel qui conduit quand la tension appliquée à ces bornes dépasse un certain seuil. Il est essentiellement utilisé pour déclencher le thyristor et le triac. Il ne possède que deux connexions. Au départ la tension V+ est nulle. Si elle croit, le DIAC ne va pas conduire (sauf pour un léger courant de fuite). Lorsque V+ atteint la tension de seuil (de l’ordre de 10 à 30V), le DIAC devient conducteur, ce qui va provoquer une chute de tension à ses bornes. ♣ L’IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) On applique une tension VGS > VT ce qui provoque l’apparition d’un courant latéral dans la région P+ entre drain et source. Ce type de transistor peut supporter de fortes tensions (jusqu’à 600V) et de forts courants (jusqu’à 50A). ♠ Caractéristiques techniques : L’IGBT est un transistor de puissance qui associe un MOS avec un BJT. Ces caractéristiques sont les suivantes : Tension de seuil 2 à 4V Courant en mode saturé 1 I D = .C OX .w.U SAT .(VGS − VT ) 2 USAT : avec USAT la vitesse de saturation (qui est de l’ordre de 5.106 cm/s pour le silicium).