Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur MOS source commune Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur source commune. L’objet de ce TP est de familiariser les étudiants avec la polarisation et l’étude dynamique des transistors MOS (ici NMOS) lorsqu’ils sont utilisés en amplification. 1. Schéma étudié. Le circuit étudié, présenté figure 1, est un amplificateur source commune à un transistor : un NMOS de type VN2222. Il s’agit d’un circuit à éléments discrets (par opposition aux circuits intégrés). La finalité de ce montage est pédagogique, un circuit réel aurait très probablement une architecture différente. En particulier, la polarisation est réalisée avec une 2ème source de tension VPOL, en plus de la polarisation principale VDD, dans un but de manipulation pratique. VDD# VPOL# RPOL# Cliaison# Vin# RD# IDS# G D S Vout# VDS# gnd$ Fig. 1 – Amplificateur source commune MOS. Liste des composants : - VN2222, transistor NMOS discret, - RD=1 kΩ, résistance de drain, - RPOL=10 kΩ, résistance de polarisation, - Cliaison=2,2 µF, capacité de liaison (attention à ne pas choisir une capacité électrolytique). On prendra VDD=10 V. Les alimentations VDD et VPOL seront fournies par les alimentations stabilisées des établis. Réalisation du montage : Le montage sera réalisé sur plaque d’essais. Vous vous attacherez à réaliser un montage soigné respectant un code couleur pour la clarté (le code couleur des figures 2, 3 et 4 n’est pas forcement cohérent). La figure 2 propose une schématique du montage sur plaque d’essais. La photographie correspondante est donnée figure 3. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2015 1 Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur MOS source commune VPOL% VDD% Segment' conducteur' RPOL% Fil' Connexion' segment3fil' Vin% RD% Vout% Cdec% S D G gnd% Fig. 2 – Implantation de l’amplificateur source commune sur plaque d’essais. Fig. 3 – Montage amplificateur source commune (plaque d’essais). Ampère mètre . Alimentation Alim1 Alim 2 (0-20V) (0-20V) + - + Volt mètre . - VDD VPOL gnd Vout Plaque d’essais Fig. 4 – Connexion de l’alimentation et des appareils de mesure. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2015 2 Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur MOS source commune Compte-rendu : Vous rédigerez un compte-rendu manuscrit qui sera ramassé en fin de séance. 1.1. Justifier le choix de Cliaison (valeur et technologie de la capacité). 1.2. Quelles sont les grandeurs caractéristiques du NMOS qui vont pouvoir être mesurées au moyen de l’ampèremètre et du voltmètre ? 2. Polarisation (DC) du montage. On souhaite polariser le montage de telle sorte que Vout=VDS=VDD/2. Compte-rendu : 2.1. Calculer la valeur de IDS correspondante. 2.2. Pour quelle valeur de VPOL (obtenue expérimentalement) obtient-on cette polarisation ? Quelle est la relation liant VPOL et VGS ? 3. Tracer des caractéristiques courant -tension. Compte-rendu : 3.1. Tracer sur le papier millimétré joint la caractéristique IDS=f(VDS) du transistor pour la valeur de VGS déterminée au 2. (vous tracerez la caractéristique pour VDS : 0 – 9V, on pourra faire varier VDD). 3.2. En déduire r0 l’impédance de sortie du NMOS au point de polarisation. 3.3. En déduire également le rDS, on du NMOS (zone linéaire du régime triode). Comparer la valeur obtenue à la notice du composant. 3.4. Tracer sur le papier millimétré joint la caractéristique IDS=f(VGS) du transistor pour VDS = 5 V = cte (faire varier VDD pour pouvoir respecter cette contrainte). 3.5. En déduire gm la transconductance du NMOS au point de polarisation. 3.6. En déduire le gain en tension petits signaux de l’amplificateur source commune. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2015 3 Travaux pratiques – Etude d’un amplificateur MOS source commune 4. Fonctionnement dynamique (AC) de l’amplificateur. Connecter l’entrée Vin de l’amplificateur à un générateur de signaux délivrant une tension sinusoïdale d’amplitude ~ 50 mV à la fréquence 1 kHz. Observer Vout à l’oscilloscope. Compte-rendu : 4.1. Relever la forme du signal de sortie Vout. En déduire le gain petits signaux. Commentaire ? 4.2. Que se passe-t-il lorsque l’amplitude du signal sinusoïdal augmente un peu ? moyennement ? fortement ? Vous illustrerez vos réponses. 4.3. Pour RD = 1 kΩ et Vin,amplitude = 50 mV, trouver la fréquence de coupure du montage. 4.4. Visualiser Vin et Vout lorsque f : 1 kHz → fc. Commentaire ? 4.5. Question subsidiaire : Remplacer la résistance de charge RD=1 kΩ par une résistance de 2,2 kΩ. Reprendre les questions précédentes (4.1 et 4.2). Commentaire ? Bibliographie. Sujet de TP adapté de : Experiment 761 – AC Behavior of Semiconductor Devices, Institute of Nanoelectronics, Hamburg University of Technology, 2012. Emploi des condensateurs : document de Serge Dusausay http://membres.multimania.fr/cepls/condensateur/condensateur.pdf Annexe. Polarité du transistor MOS VN2222 : vue 3D (fig. 5 gauche) et vue de dessus (fig. 5 droite). Fig. 5 – Polarité VN2222. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2015 4 VN2222LL Preferred Device Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 http://onsemi.com Features • Pb−Free Packages are Available* 150 mA, 60 V RDS(on) = 7.5 ! MAXIMUM RATINGS Rating N−Channel Symbol Value Unit Drain −Source Voltage VDSS 60 Vdc Drain−Gate Voltage (RGS = 1.0 M!) VDGR 60 Vdc Gate−Source Voltage − Continuous − Non−repetitive (tp ≤ 50 "s) VGS VGSM ± 20 ± 40 Vdc Vpk ID 150 1000 Drain Current − Continuous − Pulsed Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Temperature Range G S mAdc IDM PD 400 3.2 mW mW/°C TJ, Tstg −55 to +150 °C Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. TO−92 CASE 29 STYLE 22 12 3 MARKING DIAGRAM & PIN ASSIGNMENT THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−Ambient R#JA 312.5 °C/W TL 300 °C Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/16# from case for 10 seconds D VN22 22LL AYWW 1 Source A Y WW 2 Gate 3 Drain = Assembly Location = Year = Work Week ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 2 of this data sheet. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2004 September, 2004 − Rev. 3 1 Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. Publication Order Number: VN2222LL/D