7.06 Enceintes conductrices exiguës Les prescriptions particulières de ce chapitre s’appliquent aux enceintes conductrices exiguës et à l’alimentation des matériels destinés à être utilisés dans ces emplacements. Une enceinte conductrice exiguë est un local dont les parois sont essentiellement constituées de parties métalliques ou conductrices à l’intérieur de laquelle une personne peut venir en contact sur une partie importante de son corps avec les parties conductrices environnantes et dont l’exiguïté limite les possibilités d’interrompre ce contact (exemple, une citerne métallique, un puits en béton de faible diamètre et comportant des conduites métalliques, etc.) Application des mesures de protection Les mesures de protection suivantes contre les contacts indirects sont seules admises : 1. alimentation de matériels portatifs : Pour les outils électriques et appareils de mesures, on utilisera : • la très basse tension de sécurité TBTS ou • la protection par séparation électrique limitée à un seul récepteur d’énergie par enroulement secondaire du transformateur de séparation. Pour les citernes en matière conductrice la NIBT renvoie à la feuille d’instruction de l’IFCF n° 608.0709 Le transformateur de séparation doit être placé à l'extérieur de la citerne. Dans le cas contraire et en cas de défectuosité du cordon prolongateur raccordé au réseau, il y a danger pour les personnes se trouvant à l'extérieur. 2. Pour les luminaires portatifs (baladeuses), on utilisera : • la très basse tension de sécurité TBTS 1. Pour le matériel fixe, on utilisera : • la protection par liaison équipotentielle supplémentaire qui doit relier les masses des matériels fixes et les parties conductrices de l’enceinte ou • la très basse tension de sécurité TBTS ou • la protection par séparation électrique des circuits limitée à un seul appareil par enroulement secondaire de transformateur de séparation ou • l’utilisation de matériels de classe de protection II (surisolation). Les circuits doivent être protégés par un dispositif à courant différentiel-résiduel I∆n 30 mA