Mémoire flash sérielle et parallèle SST Memory This product is RoHS compliant. WSON-8 SOIC-8 PDIP-32 PLCC-32 TSOP-32 FLASH SERIELLE SERIE 25 ♦ Composant pour montage en surface La mémoire flash sérielle SPI est une mémoire flash petite à faible puissance qui utilise l’interface sérielle périphérique (SPI) et la compatibilité broche sur broche avec les dispositifs EEPROM SPI standard en industrie. Son petit encombrement réduit le nombre de broches du contrôleur ASIIC et les coûts d’emballage, économise de l’espace sur la carte et maintient les coûts de système bas. Consommation plus faible que la mémoire flash standard et moins de fils que la mémoire flash parallèle ; la mémoire flash sérielle SPI est une solution de transfert des données idéale et efficace du point de vue des coûts. La technologie CMOS SuperFlash® de SST amplifie la rétention des données et l’endurance, réduit le temps d’effacement et la consommation en faisant la mémoire flash sérielle SST idéale pour les conceptions portables. SST Caractéristiques techniques : •Endurance : 100.000 cycles (typique) •Rétention des données de plus de 100 ans •Temps d’effacement de secteur et d’effacement en bloc rapide : 18 ms (typique) •Temps de programmation en octets : 7 uA (typique) • Courant de lecture actif : 10 mA (typique) •Courant d’attente : 8 uA (typique) Nº DE STOCK MOUSER Nº d’article SST ♦ 804-25VF512A3CQAE ♦ 804-25VF512A3CSAE ♦ 804-25VF010A3CQAE ♦ 804-25VF010A3CSAE ♦ 804-25VF010A3ISAE ♦ 804-25VF0202CSAE ♦ 804-25VF0202ISAE ♦ 804-25LF020A3CSAE ♦ 804-25VF040B5CQAF ♦ 804-25VF040B5IQAF ♦ 804-25VF040B5CS2AF ♦ 804-25VF040B5IS2AF ♦ 804-25VF080B5IS2AF ♦ 804-25VF080B5CS2AF ♦ 804-25VF080B5CQAF ♦ 804-25WF0807ISAF ♦ 804-25VF016B504CS2AF ♦ 804-25VF016B5IQAF ♦ 804-25VF016B504CQAF ♦ 804-25VF032B8IS2AF ♦ 804-25VF032B8IQAE SST25VF512A-33-4C-QAE SST25VF512A-33-4C-SAE SST25VF010A-33-4C-QAE SST25VF010A-33-4C-SAE SST25VF010A-33-4I-SAE SST25VF020-20-4C-SAE SST25VF020-20-4I-SAE SST25LF020A-33-4C-SAE SST25VF040B-50-4C-QAF SST25VF040B-50-4I-QAF SST25VF040B-50-4C-S2AF SST25VF040B-50-4I-S2AF SST25VF080B-50-4I-S2AF SST25VF080B-50-4C-S2AF SST25VF080B-50-4C-QAF SST25WF080-75-4I-SAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF032B-80-4I-S2AF SST25VF032B-80-4I-QAE Applications : •DVD HD • TV HD •Bluetooth •Lecteurs MP3 •Modems DSL et câble •Unité de disque optique •Unités de disque dur •BIOS ordinateur Boîtier Densité Organisation Fréquence (MHz) WSON-8 SOIC-8 WSON-8 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 WSON-8 WSON-8 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 WSON-8 SOIC-8 SOIC-8 WSON-8 WSON-8 SOIC-8 WSON-8 512K 512K 1M 1M 1M 2M 2M 2M 4M 4M 4M 4M 8M 8M 8M 8M 16M 16M 16M 32M 32M 64K x 8 64K x 8 128K x 8 128K x 8 128K x 8 256K x 8 256K x 8 256K x 8 512K x 8 512K x 8 512K x 8 512K x 8 1M x 8 1M x 8 1M x 8 1M x 8 2M x 8 2M x 8 2M x 8 4M x 8 4M x 8 33 33 33 33 33 20 20 33 50 50 50 50 50 50 50 75 50 50 50 80 80 •Imprimantes • Moniteurs LCD • Radios numériques •Zigbee •LAN sans fil • Boîtiers adapteurs Temps de programmation en octets (uS) (Typ.) 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 7 7 7 7 7 14 7 7 7 7 7 Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation. Tension d’alimentation (V) 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 3.0 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 1.65 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 to to to to to to to to to to to to to to to to to to to to to FLASH SERIELLE SERIE 26 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 1.95 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 Prix unitaire Température de fonctionnement (°C) 1 0,62 0,45 0,67 0,50 1,09 0,76 0,92 0,69 1,00 1,99 0,83 1,81 1,49 1,06 1,23 2,10 1,17 2,73 1,35 2,11 2,29 0 to 70 0 to 70 0 to 70 0 to 70 -40 to +85 0 to 70 -40 to +85 0 to 70 0 to 70 -40 to +85 0 to 70 -40 to +85 -40 to +85 0 to 70 0 to 70 -40 to +85 0 to 70 -40 to +85 0 to 70 -40 to +85 -40 to +85 50 0,564 0,408 0,611 0,455 1,02 0,69 0,825 0,627 0,908 1,86 0,752 1,69 1,39 0,949 1,11 1,90 1,06 2,56 1,22 1,91 2,07 100 0,52 0,375 0,563 0,418 0,865 0,635 0,761 0,578 0,833 1,57 0,693 1,43 1,18 0,875 1,02 1,75 0,982 2,20 1,12 1,77 1,91 ♦ Composant pour montage en surface La série SST 26 amplifie la performance tout en maintenant le facteur de forme compact des dispositifs sériels standard. En utilisant l’interface sérielle quad (SQI) et en fonctionnant à des fréquences de jusqu’à 80 MHz, la série SST 26 est un choix parfait pour les dispositifs portables Bluetooth, les unités de disque optique et les applications GPS. Les mémoires flash SQI SST 26 sont fabriquées avec la technologie brevetée de haute performance CMOS SuperFlash® de SST en améliorant de manière significative la performance et la fiabilité tout en réduisant la consommation. Pour les conceptions de pointe qui nécessitent une largeur de bande élevée et une maquette compacte, la série SST 26 est une solution idéale. Caractéristiques techniques : •Fréquence de l’horloge de haute vitesse : 80 MHz Max. • Entrées / sorties multiplexeurs 4 bits avec structure de commande sérielle similaire à SPI • Support de protocole SPI pour Lecture, Lecture à haute vitesse et Lecture ID JEDEC •Lecture rafale : Rafale de 8, 16, 32, 64 bits avec bouclage • Saut index : Réduit le nombre d’horloges d’entrée pour un accès plus rapide aux données ♦ 804-26VF0168IS2AE ♦ 804-26VF0168IQAE •Suspension et reprise de l’écriture : Programmation de la suspension de l’opération de suspension ou d’effacement Blocage d’un bloc individuel : Blocs de 64 KO avec blocs de paramètres de 8x8 KO Protection à l’écriture à travers les bits de protection des blocs en registre d’état ID sécurisé unique de 256 bits programmable une seule fois (OTP) • • • Nº d’article SST Boîtier Densité Organisation SST26VF016-80-5I-S2AE SST26VF016-80-5I-QAE SOIC-8 WSON-8 16M 16M 2M x 8 2M x 8 Nº DE STOCK MOUSER Applications : Fréquence (MHz) NOUVELLE TECHN OGIE NTL OL •Micro-casques Bluetooth • Enregistreur vidéo numérique •Unité de disque optique • Blu-Ray • GPS • Unités de disque dur • Dispositifs média portables Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation. Temps d’effacement puce (ms) (Typ.) 80 80 35 35 Tension d’alimentation (V) 2.7 to 3.6 2.7 to 3.6 Prix unitaire Température de fonctionnement (°C) 1 1,47 1,64 -40 to +85 -40 to +85 50 1,33 1,49 100 1,22 1,37 MEMOIRE FLASH PARALLELE MTP (MANY-TIME PROGRAMMABLE - PROGRAMMABLE PLUSIEURS FOIS) SERIES 27 ET 37 ♦ Composant pour montage en surface Les séries 27 et 37 de mémoire flash à coût bas programmable plusieurs fois (MTP) fabriquées avec la technologie brevetée de haute performance SuperFlash® de SST. La conception à cellule à double fenêtre et m’injecteur de tunnelisation à oxyde épais atteint une meilleur fiabilité et fabricabilité en comparaison avec les approches alternatives. Ces dispositifs MTP peuvent être effaces et programmés électroniquement au moins 1.000 fois en utilisant un programmeur externe avec une source d’alimentation à 12 V. Ils doivent être effaces avant la programmation. Ces dispositifs sont conformes aux broches de sorties standard JEDEC pour les mémoires à largeur d’octet. Conçues, fabriquées et testées pour un spectre large d’applications, ces dispositifs sont offerts avec une endurance d’au moins 1.000 cycles. La rétention des données et établie à plus de 100 ans. Ils sont adéquats pour des applications qui nécessitent des écritures non fréquentes et stockage non-volatile à faible puissance. Ces dispositifs amélioreront la flexibilité, l’efficience et la performance tout en respectant le coût réduit pour les applications non-volatiles qui utilisent à présent les EPROM UV les OTP et les ROM masque. Caractéristiques techniques (série SST27) : Caractéristiques techniques (série SST37) : qui suit les attributions des broches de la mémoire flash pour les paquets TSOP à 32 fils) Pour utilisation dans les téléphones portables, les lecteurs VCD, les imprimantes et les télécopieurs ou le code est figé et la programmation en système n’est pas nécessaire et les télécopieurs ou le code est figé et la programmation en système n’est pas nécessaire •Lecture à 5,0 V, programmation et effacement à 12,0 V • Les mêmes attributions d’emballage et de broches qu’EPROM/OTP (à l’exception de SST27SF512 • 804-27SF0107CPHE ♦ 804-37VF0107CNHE ♦ 804-27SF0207CNHE 804-27SF0207CPHE ♦ 804-37VF0207CNHE Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation. Nº d’article SST Boîtier Densité SST27SF010-70-3C-NHE SST27SF010-70-3C-PHE SST37VF010-70-3C-NHE SST27SF020-70-3C-NHE SST27SF020-70-3CPHE SST37VF020-70-3C-NHE PLCC-32 PDIP-32 PLCC-32 PLCC-32 PDIP-32 PLCC-32 1M 1M 1M 2M 2M 2M Nº DE STOCK MOUSER ♦ 804-27SF0107CNHE •Lecture à 2,7-3,6 V, programmation et effacement à 12,0 V • Les mêmes attributions de paquet et de broches que la mémoire flash standard • Pour utilisation dans les téléphones portables, les lecteurs VCD, les imprimantes Organisation 128K 128K 128K 256K 256K 256K x x x x x x 8 8 8 8 8 8 Temps d’accès (ns) Temps de récriture puce (sec) (Typ.) 70 70 70 70 70 70 2.8 2.8 1.2 5.6 5.6 2.4 Tension d’alimentation (V) 4.5 4.5 2.7 4.5 4.5 2.7 to to to to to to MEMOIRE FLASH PARALLELE SSF (SMALL-SECTOR FLASH - FLASH A FACTEUR PETIT) SERIE 29 5.5 5.5 3.6 5.5 5.5 3.6 Prix unitaire Température de fonctionnement (°C) 0 0 0 0 0 0 to to to to to to 1 0,87 1,09 0,81 0,90 1,16 1,33 70 70 70 70 70 70 50 0,784 0,982 0,737 0,815 1,05 1,25 100 0,722 0,908 0,678 0,751 0,965 1,06 ♦ Composant pour montage en surface Les dispositifs SSF (facteur de forme petit) de la sérié 29 sont adéquats pour les applications qui nécessitent une mise à jour convenable et économique de la mémoire de programmation, de configuration ou de données. Pour toutes les applications de système, ils améliorent significativement la performance et la fiabilité tout en réduisant la consommation. Ils utilisent intrinsèquement moins d’énergie pendant l’effacement et la programmation que les technologies flash alternatives. L’énergie totale consommée dépend de la tension appliquée, du courant et du temps de l’application. Vu que pour toute plage de tension donnée la technologie SuperFlash utilise moins de courant pour programmer et elle a un temps d’effacement plus court, l’énergie total consommée pendant toute opération d’effacement ou de programmation est inférieure à celle des technologies flash alternatives. Ils améliorent aussi la flexibilité tout en abaissant les coûts des applications de programmations, de données et de stockage des configurations. Caractéristiques techniques (série SST29EE) : •Effacement de secteur à 128 octets • Opérations d’effacement secteur par secteur Nº DE STOCK MOUSER ♦ 804-29EE5127CNHE ♦ 804-29EE5127CEHE ♦ 804-29EE5127INHE ♦ 804-29EE0107CNHE ♦ 804-29EE0107CWHE ♦ 804-29EE0107CEHE 804-29EE0107CPHE ♦ 804-29SF0205CNHE © Copyright 2011 Mouser Electronics 238 Caractéristiques techniques (série SST29SF/VF) : •Opérations de programmation octet par octet •Dimension de page 128 octets •Opérations d ’écriture page par page Nº d’article SST SST29EE512-70-4C-NHE SST29EE512-70-4C-EHE SST29EE512-70-4I-NHE SST29EE010-70-4C-NHE SST29EE010-70-4C-WHE SST29EE010-70-4C-EHE SST29EE010-70-4C-PHE SST29SF020-55-4C-NHE mouser.com/sst •L’opération d’écriture de page inclut une transparent d’effacement d’interne au système externe Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation. Boîtier Densité Organisation Temps d’accès (ns) PLCC-32 TSOP-32 PLCC-32 PLCC-32 TSOP-32 TSOP-32 PDIP-32 PLCC-32 512K 512K 512K 1M 1M 1M 1M 2M 64K x 8 64K x 8 64K x 8 128K x 8 128K x 8 128K x 8 128K x 8 256K x 8 70 70 70 70 70 70 70 55 Tous les prix sont en EURO Temps de récriture puce (sec) (Typ.) 2.5 2.5 2.5 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 Tension d’alimentation (V) 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 to to to to to to to to 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 Prix unitaire Température de fonctionnement (°C) 0 to 70 0 to 70 -40 to +85 0 to 70 0 to 70 0 to 70 0 to 70 0 to 70 1 [email protected] 1,14 1,31 1,36 1,50 1,56 1,68 1,68 1,99 50 1,03 1,19 1,24 1,36 1,41 1,52 1,52 1,86 100 0,949 1,10 1,14 1,25 1,30 1,39 1,39 1,57 © Copyright 2011 Mouser Electronics